西數發布新一代UFS 3.1閃存:最大512GB、寫入1.55GB/s

西數日前發布了新一代UFS 3.1閃存——iNAND MC EU551系列,主要針對最新的5G手機,最大容量512GB,寫入速度可達1550MB/s。IDC預計2021年5G手機將佔全球出貨量的40%,2025年進一步提升到69%的比例,隨着網絡速度的提升,5G手機對存儲容量、性能的要求也會提高,特別是VR/AR、遊戲及8K視頻等應用的普及。

西數推出的iNAND MC EU551是他們的第二代UFS 3.1閃存,採用了最新的閃存,專為5G旗艦手機、平板設計,支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee,支持rite Booster 和 Host Performance Booster 2.0,寫入速度可達1550MB/s,性能與桌面NVMe硬盤有得一拼了。

容量方面,iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三種,預計今年7月份開始上市,下半年的5G旗艦有望搭載,不過售價沒公布。

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