作為工業級嵌入式存儲解決方案的領導廠商之一，宜鼎國際（Innodisk）剛剛宣布了旗下首批工業級 DDR5 DRAM 產品。與 DDR4 時代相比，新一代內存模組帶來了關鍵性能的一系列改進。除了容量和速率方面的優勢，DDR5 DRAM 產品還在可靠性與能效方面有更亮眼的表現。
容量方面，DDR5 允許將單顆 IC 的容量提升到四倍（最大 64Gb），因而單條內存可輕鬆提升至 128GB 。此外參考 JESD79-5 DDR5 SDRAM 規範，其在電壓和 ECC 糾錯等方面也有顯著的改進。
傳輸速率方面，DDR5 的理論性能也較 DDR4 翻倍（達到了 6400 MT/s）。另一項變化是將電源管理芯片（PMIC）從主板端挪到了 DRAM 端，同時將標準工作電壓從 1.2V 降至 1.1V，以進一步降低整體功耗。
不過最讓我們感到欣喜的，莫過於 DDR5 DIMM 支持單條雙通道設計。兩個較小的獨立通道，有助於提升內存的訪問效率和達成更高的速度，且每個 DIMM 擁有 40-bit 通道（32-bit 數據位 + 8-bit ECC 位）。
目前 Innodisk 提供的最高規格產品，就是單條 32GB @ 4800 MT/s 的 DDR5 內存模組。考慮到 DDR5 內存規範的正式發布還不到一年，我們預計相關平台會在今年 4 季度做好全面鋪貨的準備。
Innodisk 全球嵌入式與服務器 DRAM 業務部門副總裁兼總經理 Samson Chang 表示，客戶對於 DDR5 能夠激發的應用前景感到激動不已。
而該公司優質的 DDR5 DIMM 新品採用了原裝 IC、輔以抗硫化的散熱 / 敷形塗層技術，能夠為行業客戶帶來符合其預期的工業級可靠性。
最後，儘管 DDR5 將在超算 / 大規模數據中心率先得到普及。但展望未來，DDR5 也能夠在 5G、深度學習、人工智能、邊緣計算、智能醫療等關鍵任務應用領域充分發揮它的實力。