前一段時間，三星在京畿道華城工廠V1生產線，舉行了採用下一代GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術的3nm代工產品發貨儀式。三星表示，與原來採用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm
GAA製程節點在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。
雖然三星信心滿滿，但事實上目前3nm GAA工藝缺乏客戶，更重要的是，平時熱衷採用新工藝的移動SoC暫時都沒有選用。有消息指出，三星可能會使用3nm工藝製造Exynos 2300，或用於明年的Galaxy S23系列，不過有報道稱由於表現不達預期，Galaxy S23系列可能全部採用高通的解決方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能採用三星3nm工藝，將用於Pixel 8系列，但目前還沒有消息。
近年來三星的其中一個大客戶高通，由於4nm/5nm的良品率和能效問題，在新一代旗艦SoC上已轉投台積電（TSMC），對三星造成了相當大的打擊。據Wccftech報道，高通對三星第一代3nm GAA工藝興趣不大，不過有留意其進展情況，隨時進行評估，到第二代3nm GAA工藝可能會參與進來。
據了解，三星第二代3nm GAA工藝將會在2024年量產。三星表示，第二代3nm GAA工藝將加入MBCFET架構，使得3nm芯片的面積減少35%、性能提高30%、功耗降低50%，如果良品率也能跟上，這樣的提升或許會讓高通滿意。