SK海力士擬年內試產238層NAND閃存

SK海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露,計劃在年內完成238層NAND試產,並在2023年上半年實現量產。針對美光近期量產232層NAND的動態,海力士方面表示各家廠商產品發布節奏不同,存儲市場目前應專註於提高盈利能力,海力士的目標是實現行業最高水平的盈利能力。

公司方面還表示,計劃今年年底實現主力產品176層4D NAND以晶圓形式出貨佔比70%,以進一步提升毛利率。

針對DRAM市場行情,海力士方面表示,儘管目前DRAM的平均售價(ASP)走低,但成本下降足以彌補ASP變化,公司方面預計今年DRAM出貨量將增加約10%,NAND閃存出貨量增加20%。

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