在對摩爾定律的不懈追求中，英特爾推出了關鍵的封裝、晶體管和量子物理突破，這些突破對於推進和加速計算進入下一個十年至關重要。在2021 年IEEE
國際電子設備會議(IEDM) 上，英特爾概述了其實現混合鍵合封裝互連密度提高 10 倍以上、晶體管縮放面積提高 30% 至
50%、新電源和存儲器技術的重大突破以及新的物理學中的概念可能有一天會徹底改變計算。
“在英特爾，推進摩爾定律所需的研究和創新從未停止。我們的組件研究小組將在 IEDM 2021 上分享關鍵研究突破，帶來革命性的工藝和封裝技術，以滿足我們行業和社會對強大計算的永不滿足的需求。這是我們最優秀的科學家和工程師不懈努力的結果。為了延續摩爾定律，他們繼續走在創新的最前沿。”
在英特爾看來，摩爾定律一直在跟蹤計算創新，以滿足從大型機到移動電話的每一代技術的需求。隨着我們進入一個擁有無限數據和人工智能的計算新時代，這種演變今天仍在繼續。
他們指出，持續創新是摩爾定律的基石。而英特爾的組件研究小組致力於在三個關鍵領域進行創新：
用於提供更多晶體管的基本縮放技術；用於功率和內存增益的新硅功能；探索物理學中的新概念，以徹底改變世界的計算方式。許多突破先前摩爾定律障礙並出現在今天產品中的創新都始於組件研究的工作——包括應變硅、High-K 金屬柵極、FinFET 晶體管、RibbonFET，以及包括 EMIB 和 Foveros Direct 在內的封裝創新。
在 IEDM 2021 上揭示的突破表明，英特爾有望通過其三個探路領域，在 2025 年之後繼續推動摩爾定律的進步和優勢。
1.英特爾正在對基本縮放技術進行重要研究，以在未來產品中提供更多晶體管：
該公司的研究人員概述了針對混合鍵合互連的設計、工藝和組裝挑戰的解決方案，預計封裝互連密度提高 10 倍以上。在7 月的Intel Accelerated 活動中，Intel 宣布了推出 Foveros Direct 的計劃，支持亞 10 微米的凸點間距，為 3D 堆疊的互連密度提供一個數量級的增加。為了使生態系統能夠從先進封裝中獲益，英特爾還呼籲建立新的行業標準和測試程序，以實現混合鍵合小芯片生態系統。
超越其全柵極 RibbonFET，英特爾正在通過堆疊多個 (CMOS) 晶體管的方法掌握即將到來的后 FinFET 時代，該方法旨在實現最大 30% 至 50% 的邏輯縮放改進，以推動摩爾定律的不斷發展通過每平方毫米安裝更多的晶體管。
英特爾還通過前瞻性研究為摩爾定律進入埃時代鋪平了道路，該研究展示了如何使用只有幾個原子厚的新型材料來製造克服傳統硅通道限制的晶體管，從而使每個芯片面積上增加數百萬個晶體管為未來十年更強大的計算。
2.英特爾正在為芯片帶來新功能：
通過在 300 毫米晶圓上實現基於 GaN 的電源開關與基於硅的 CMOS 的全球首次集成，英特爾正在推進更高效的電源技術。這為向 CPU 提供低損耗、高速供電奠定了基礎，同時減少了主板組件和空間。
另一個進步是英特爾行業領先的低延遲讀/寫功能，它使用新型鐵電材料實現下一代嵌入式 DRAM 技術，該技術可以提供更大的內存資源，以解決從遊戲到人工智能的計算應用程序日益複雜的問題。
3.英特爾正在通過基於硅晶體管的量子計算以及全新的開關來追求巨大的性能，以通過新型室溫設備進行大規模節能計算。未來，這些啟示可能會通過使用全新的物理學概念來取代經典的 MOSFET 晶體管：
在 IEDM 2021 上，英特爾展示了世界上第一個在室溫下實現磁電自旋軌道 (MESO) 邏輯器件的實驗性實現，這展示了基於開關納米級磁鐵的新型晶體管的潛在可製造性。
英特爾和 IMEC 正在自旋電子材料研究方面取得進展，以使器件集成研究接近實現全功能自旋扭矩器件。
英特爾還展示了用於實現與 CMOS 製造兼容的可擴展量子計算的完整 300 毫米量子位工藝流程，並確定了未來研究的下一步。
組件研究是英特爾技術開發的研究小組，負責提供革命性的工藝和封裝技術選項，擴展摩爾定律並支持英特爾產品和服務。它通過與公司的業務部門合作來預測未來的需求並與外部團體（從美國政府研究實驗室和行業聯盟到大學研究團體和供應商）合作，使英特爾的研發渠道保持完整。
讓我們期待英特爾的宣布。