在 HotChips33 年度會議期間，台積電介紹了該公司最先進的封裝技術路線圖，並且展示了為下一代小芯片架構和內存設計做好準備的最新一代 CoWoS 解決方案。WCCFTech 指出，這家業內領先的半導體巨頭在先進芯片封裝技術方面取得了快速進展。過去十年，該公司已經推出五代不同的基板上芯片封裝工藝，且涵蓋了消費級與服務器芯片領域。
預計 TSMC 將於今年晚些時候宣布第 5 代 CoWoS 封裝技術，其有望將晶體管數量翻至第 3 代封裝解決方案的 20 倍。
新封裝將增加 3 倍的中介層面積、8 個 HBM2e 堆棧（容量高達 128 GB）、全新的硅通孔（TSV）解決方案、厚 CU 互連、以及新的 TIM（Lid 封裝）方案。
其中最讓我們關注的，莫過於使用 TSMC 第 5 代 CoWoS 封裝工藝的 AMD MI200“Aldebaran”GPU 。
作為 AMD 首款多芯片（MCM）設計的 GPU，其採用了 CDNA 2 核心架構，預計可實現一些瘋狂的規格參數。
WCCFTech 指出，AMD“Aldebaran”GPU 或擁有超過 16000 個內核、以及高達 128GB 的 HBM2E 內存容量。
此外英偉達的 Hopper GPU 競品也使用了 MCM 小芯片架構，且同樣可能交由 TSMC 代工。
至於第 5 代 CoWoS 封裝技術能夠為英偉達 Hopper GPU 帶來怎樣的驚喜，還請耐心等到 2022 年揭曉。
接着，TSMC 將升級到第 6 代 CoWoS 封裝工藝，特點是能夠集成更多的小芯片和 DRAM 內存。
TSMC 尚未敲定第 6 代 CoWoS 的最終工藝，但預計可在同一封裝內容納多達 8 組 HBM3 內存和 2 組計算小芯片。
TSMC 還將以 Metal Tim 的形式，提供最新的 SOC 散熱解決方案。
與初代 Gel Tim 方案相比，Metal Tim 有望將封裝熱阻降低到前者的 0.15 倍。
最後，AMD CNDA 3（MI300）和英偉達 Ampere 的下下一代，都有望採用 TSMC 的 N3 工藝節點進行製造。
