合肥沛頓存儲一期項目正式封頂 達產後預計可年產內存模組3000萬條

6月26日上午,合肥沛頓存儲科技有限公司一期項目封頂慶典圓滿舉行。據了解,深科技在與合肥市政府達成投資協議后,與國家大基金二期、合肥產投、中電聚芯於2020年10月30日註冊成立了合肥沛頓存儲科技有限公司,在各方的共同努力下,項目在不到4個月的時間裡,取得了一期項目順利封頂的階段性成果。

合肥沛頓存儲一期項目正式封頂 達產後預計可年產內存模組3000萬條圖片來源:深科技

深科技消息顯示,為應對國際市場環境變化,積極響應國家發展戰略,深科技加大力度布局集成電路封裝測試等戰略性新興產業,形成聚焦發展存儲半導體、自主產品、高端製造領域及重點建設深科技城項目的“3+1”發展模式,力爭實現經營業務的轉型升級。

深科技董事長周劍在致辭中表示,本項目建成后,將極大完善我國存儲器產業鏈,對國際巨頭形成有力的競爭,打破我國存儲器領域對進口產品的依賴。本項目將圍繞國家戰略需要,積極承接國家存儲器戰略項目的封裝測試業務,推動我國存儲器產業重點突破和整體提升,實現跨越發展,為經濟發展方式轉變、綜合國力提升提供有力支撐。

同時,合肥沛頓存儲也將填補合肥半導體產業鏈中重要的一環,配合合肥IC設計和IC製造兩大產業鏈中的龍頭企業,共同為“芯屏汽合,集終生智”產業體系的建成完善貢獻力量。

周劍強調,近年來,我國集成電路產業快速發展,整體實力顯著提升,但集成電路產品依然大量依賴進口,存儲芯片製造以及封裝測試所需的關鍵設備和部分材料仍然在卡我們的“脖子”,深科技的目標不僅是配合客戶把沛頓打造成國內、乃至全球最大的封裝測試企業,更重要的是希望能夠為客戶、為上下游提供自身的經驗和協助,突破國外封鎖,建立完全自主可控的集成電路產業鏈。

據悉,合肥沛頓存儲項目佔地面積約178畝,一次性規劃,分期建設,於2021年3月啟動建設,按照建設規劃,項目將於今年9月底完成全部建設任務,10月初進駐生產設備,力爭於今年年底實現投產並形成有效產能。項目達產後,預計可實現年封測DRAM顆粒5.76億顆,年封裝NAND FLASH 3840萬顆,年產內存模組3000萬條的生產能力,預計可實現年營收28億元左右。(校對/西農落)

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