早在 2014 年，就有許多研究人員討論過影響當時主流的 DDR3 內存的 Rowhammer 漏洞。2015 年的時候，谷歌發布了一個可利用該漏洞的利用程序。可知通過對一個內存地址的多次訪問請求，將使得攻擊者能夠篡改其它內存地址中存儲的內容。更糟糕的是，由於該漏洞源於硅芯片中的電耦合現象，所以相關漏洞攻擊將能夠繞過基於軟件和硬件層面的防護。
DRAM 顆粒資料圖（來自：Samsung）
為堵上這一缺陷，許多 DRAM 製造商在自家芯片產品中部署了相應的邏輯檢測功能，以便在檢測到非法訪問時進行溯源和阻止。
然而現實是，即便市面上主流的 DRAM 芯片已經升級到了 DDR4，但攻擊者仍可通過 TRRespass 之類的手段來利用 Rowhammer 漏洞。
以谷歌最新披露的“半雙”（Half-double）技術為例，其危險程度比初始版本還要高得多。
此前只需通過重複訪問一個內存地址，即可訪問相鄰一行的 DRAM 地址。但谷歌現已證明，即使效力有所降低，他們還是成功地將非法地址訪問多加了一行。
如圖所示，研究人員先是嘗試多次訪問地址“A”，然後順利實現了對地址“B”的數十次訪問，接着又向地址“C”發起了攻擊。
谷歌希望促成跨行業合作，以封堵 Rowhammer 內存訪問漏洞。
谷歌解釋稱，Half-double 與 TRRespass 有很大的不同。舊攻擊利用了製造商在相關防禦上的盲點，而新手段直接砸到了軌基板底層的固有屬性。
考慮到電耦合（Electrical Coupling）與距離相關，隨着芯片製程的不斷發展，DRAM 的單元尺寸也會跟着縮小，導致 Rowhammer 攻擊的波及範圍也變得更廣（大於兩行的概念驗證也將是可行的）。
在最壞的情況下，惡意代碼或可藉此逃脫沙箱環境、甚至接管系統。為堵上這個大漏洞，谷歌正在與 JEDEC 等半導體行業的工貿組織和軟硬件研究人員展開密切合作，以尋求潛在的解決方案。
感興趣的朋友，可查閱谷歌發布的有關緩解技術的兩份文檔：
（1）《NEAR-TERM DRAM LEVEL ROWHAMMER MITIGATION》
（2）《SYSTEM LEVEL ROWHAMMER MITIGATION》