5月15日消息，從比亞迪半導體官方獲悉，比亞迪半導體西安研發中心即將啟用。據悉，比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產製造基地，分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。位於西安的半導體研發中心，將配備近千人的研發團隊，是比亞迪半導體精心布局的全新研發基地，承擔著開啟新一輪半導體創新與研發攻堅戰的使命。
比亞迪半導體將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源，主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制IC等半導體產品的設計及服務，進一步提升公司產品研發和技術實力。
據悉，繼2018年在寧波發布IGBT4.0芯片技術以來，歷時兩年積累，比亞迪半導體打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片，並計劃於比亞迪半導體西安研發中心全新發布。
據了解，自2002年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內首款自主研發的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片並樹立國內中高端車用IGBT新標杆。
截止2020年底，以IGBT為主的車規級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。
IGBT4.0芯片通過精細化平面柵設計，使得同等工況下，綜合損耗較市場主流產品降低了約20%，整車電耗顯著降低。
比亞迪半導體稱，IGBT6.0芯片採用新一代自主研發的高密度溝槽柵技術，相較同類產品在可靠性及產品性能上將實現重大突破，達到國際領先行列。
資料顯示，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是一種大功率的電力電子器件，主要用於變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，俗稱電力電子裝置的“CPU”。
IGBT是新能源汽車最核心的技術，其好壞直接影響電動車功率的釋放速度：直接控制直、交流電的轉換，同時對交流電機進行變頻控制，決定驅動系統的扭矩（直接影響汽車加速能力）、最大輸出功率（直接影響汽車最高時速）等。
IGBT芯片晶圓