根據集邦諮詢 TrendForce 發布的最新研報，由於某些消費電子產品的需求減弱，內存價格從 2021 年第四季度開始不斷下降。此外還受到其他多方面的因素：通脹上升、俄烏戰爭、疫情政策等影響，旺季需求疲軟等等，因此這些銷售壓力從買方延伸至廠商。
針對上述情況，美光上周宣布將減產 DRAM 和 NAND Flash，成為首家正式降低產能利用率計劃的主要內存廠商。鎧俠也緊隨美光宣布，自 10 月起將 NAND Flash 產能利用率降低 30%。
DRAM方面，目前合約定價仍高於各主流供應商的總生產成本。因此，與NAND Flash相比，是否會出現大幅減產還有待觀察。除了提到目前該領域產能利用率略有下降外，美光主要強調其對 2023 年資本支出的大幅下調，明年 DRAM 生產位元的年增長率僅為 5% 左右。集邦諮詢認為，美光認為，實現如此保守的位元增長，意味着產能利用率仍有大幅下調的空間，美光後續減產落實到何種程度仍有待觀察。
在 NAND Flash 方面，美光原本計劃從 22 年 4 季度開始逐步提高 232 層產品的比例。不過隨着公司減產決定的落實，預計2023年美光的主流製程仍以176層產品為主，而傳統製程的晶圓開工率也會下降。鎧俠和 WDC 原計劃從 22 年第 4 季度開始遷移到 162 層產品，但 WDC 在 2023 年放緩了資本支出。在資金難以獲得且需求可見性不佳的情況下，162 層產品的比例將大幅下降，公司原計劃2023年替代主流112層產品將無法實現。
2023 年內存市場供需情況來看，由於需求前景保守，DRAM 和 NAND Flash 各季度均出現嚴重供過於求，明年上半年庫存壓力將繼續加速。
DRAM 領域，在美光率先宣布 DRAM 減產計劃遠低於供給側位增長的歷史水平后，2023 年 DRAM 充足率將從 TrendForce 此前預測的 11.6% 收縮至不足 10 %，有助於緩解迅速惡化的庫存壓力。但是，未來必須依靠更多的供應商參與到實際的DRAM減產中，才能扭轉明年的供需失衡。