在上月的 IEEE VLSI Symposium 會議期間，英特爾聲稱其已做好了縮小半導體製程節點的準備。而用上了 EUV 極紫外光刻的 Intel 4（7nm）工藝后，藍廠得以讓芯片在消耗相同或更少功率的情況下提升 20% 以上的性能、或在相同頻率下獲得大約 40% 的優勢。
（via WCCFTech）
與英特爾之前的 Intel 7（10nm）ESF 技術節點相比，Intel 4（7nm）工藝不僅將晶體管密度提升了兩倍、還能夠達成更強勁的表現。
此前該公司在從 14nm 向 10nm 工藝轉進的過程中消耗了相當長的時間，但在拖延了數年之後，DigiTimes 稱其將進一步加速。
報道指出，Intel 3 工藝將於 2023 下半年開始增加產能，並帶來相較於 Intel 4 工藝達 18% 的性能提升。
據悉，新 Intel 4 節點將為 14 代 Meteor Lake 消費級 Core 產品線、以及企業級的 Granite Rapids 至強 CPU 提供支撐。
雖然作為 12 代 Alder Lake 芯片的繼任者，我們距離 13 代 Raptor Lake 的發布還有較長的一段時間。
但若能穩定延續既定的目標，藍廠將不會在 AMD 的步步緊逼下，持續讓合作夥伴和廣大客戶感到失望。
此外英特爾有計劃在量產版的 Meteor Lake 處理器上率先引入小芯片設計，輔以靈活的 Tile 架構 + Foveros 3D 封裝。
與此同時，競爭對手 AMD 會用上台積電的 N5 / N4 工藝，並繼續在集成了 RDNA 核顯的 APU 產品線上發力。
不過在此之前，我們還是更加期待 13 代酷睿和銳龍 7000 系列 Zen 4 處理器的市場表現。