對於NAND閃存，大家都知道SLC、MLC往後的TLC、QLC閃存存在性能越來越低、錯誤率越來越高的問題，但是容量更大，所以閃存廠商一直在研發更多的閃存，鎧俠的研究已經到了7bit/cell級別，需要在零下200度的低溫環境下才能試驗。
對於MLC閃存，有必要先說一些基礎知識，實際上SLC之後的都應該算作MLC閃存，閃存的類型是按照cell單元存儲的電荷位數來判定的，大家所說的MLC實際上是2bit/cell閃存，TLC是3bit/cell，QLC則是4bit/cell，在下面的是PLC閃存，5bit/cell。
鎧俠等閃存巨頭的研究更深入，去年鎧俠就公布過6bit/cell閃存的研究，也就是HLC閃存，今年的IMW 2022會議上，鎧俠又公布了7bit/cell閃存的研究成果。
不過7bit/cell閃存現在還沒正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC閃存。
跟之前的6bit/cell閃存一樣，7bit/cell閃存也是在77K溫度，也就是液氮環境中做測試的，大約是零下200度，這樣做是為了降低數據讀取時的干擾。
根據鎧俠的研究，在7bit/cell閃存中，溝道材料從之前的多晶硅換成了單晶硅，電阻更低，漏電流減少了，寫入及讀取操作時的閾值電壓波動可以最小化。
要知道7bit/cell閃存意味着有128級電壓變化，因此7bit/cell閃存寫入時控制電壓的難度大幅提升，稍有波動就有可能導致更多的錯誤，這也是閃存類型越升級，性能及可靠性越差的原因。
鎧俠沒有公布7bit/cell閃存的具體性能，畢竟現在是零下200度的測試，沒有實際使用的意義，但是大家對7bit/cell閃存的性能就不要有什麼指望，QLC閃存的原始速度都跌入100MB/s以內了，7bit/cell閃存還要再渣幾倍，性能就別想了。
以後7bit/cell閃存的SSD硬盤就算是問世了，估計也只會用於讀取居多的場景，不適合頻繁寫入的需求。