本周四，美光（Micron）隆重宣布了業內首創的 232 層 3D NAND 存儲解決方案，並計劃將之用於包括固態硬盤（SSD）驅動器在內的各種產品線。在陣列下 CMOS 架構（簡稱 CuA）的加持下，美光得以將兩個 3D NAND 陣列彼此堆疊。如果一切順利，該公司有望於 2022 下半年開始增加 232 層 3D TLC NAND 閃存芯片的生產。
結合 CuA 設計 + 232 層 NAND 方案，有助於極大地縮減美光 1Tb 3D TLC 閃存芯片的尺寸，同時降低生產成本或提升利潤率。
美光尚未披露 232L 3D TLC NAND 的 IC 面積和 I/O 速率，但暗示新閃存將具有比現有 3D NAND 設備更高的性能，推測可用於配備了 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 。
美光科技產品執行副總裁 Scott DeBoer 指出：該公司的相關閃存設備將配備自研和第三方主控，同時他們會保持與其他開發人員保持密切的合作，以提供對於新閃存的適當支持。
該公司圍繞業內領先的託管型 NAND 存儲、以及數據中心 / 客戶端 SSD 產品所需的技術進行了優化研發，且內外部控制器組合一直是其垂直產品集成的一個重要組成部分。
這麼做不僅可以確保為 NAND / 控制器技術實施恰當的優化，還能夠滿足其保持業內領先的相關要求。
該公司稱，與上一代工藝節點相比，新一代 232 層 3D TLC NAND 具有更低的功耗。此外美光長期專註於移動應用，並與下游設備製造商保持着良好的合作夥伴關係。
最後，鑒於美光計劃在 2022 下半年開啟 232 層 3D TLC NAND 的生產，預計各類終端產品（比如 SSD）也會在 2023 年陸續上市。