IMEC公布未來技術藍圖 半導體10年內進入埃米時代

當前,量產的晶體管已經進入4nm尺度,3nm研發也已經凍結進入試產。在11月於日本舉辦的線上ITF大會上,半導體行業大腦imec(比利時微電子研究中心)公布了未來十年的技術藍圖。據悉,2025年後,晶體管微縮化進入埃米尺度(Å,angstrom,1埃 = 0.1納米),時間節點的規劃是,2025年A14(14Å=1.4納米)、2027年為A10(10Å=1nm)、2029年為A7(7Å=0.7納米)。

IMEC公布未來技術藍圖 半導體10年內進入埃米時代

微觀晶體管結構層面,imec試圖在14Å節點使用Forksheet結構(p型和n型納米片晶體管成對排列,類似於用餐的叉子),10Å節點試圖採用CEFT結構,1納米(10Å)以下計劃採用原子形狀的溝道,依賴Mo(鉬)、W(鎢)、X為硫、Se硒、Te(碲)等2D材料和High NA(高數值孔徑)EUV光刻機來實現。

說到High NA EUV光刻機(0.55NA),一號原型機(EXE:5000)將在2023年由ASML提供給imec的聯合實驗室,2026年量產,從而服務1nm及更先進的節點。

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