富士通半導體解決方案有限公司推出了帶有并行接口的新型8Mbit FRAM
MB85R8M2TA，這是富士通FRAM產品系列中第一個保證100萬億次讀/寫周期的產品，目前已提供評估樣品。與富士通的傳統產品相比，新產品既實現了高速運行，讀寫速度提高了約30%，又實現了低功耗，工作電流降低了10%。這種存儲器IC是需要高速運行的工業機器中SRAM的理想替代品。
FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有高讀/寫持久性、快速寫入速度操作和低功耗的優越性，它已經生產了20多年。富士通從2018年6月開始提供帶有并行接口的8 Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣該產品的同時，公司聽到了客戶要求的聲音，如保證10萬億次以上的寫入耐久性、與SRAM一樣的操作速度以及與SRAM兼容的TSOP封裝。富士通現在宣布推出的8兆比特FRAM產品滿足這些要求，並保持FRAM獨特的低能耗特性。
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬廣電源電壓範圍內工作，是富士通FRAM產品系列中第一個保證100萬億次讀寫周期的產品。
由於能夠在快速頁面模式下以25ns時延運行，新FRAM的訪問速度在連續數據傳輸時與SRAM一樣高。與富士通的傳統FRAM產品相比，它不僅實現了更高的運行速度，而且降低了功耗。這種FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產品低10%，最大待機電流為150µA，低50%。它採用44針TSOP封裝，與富士通的4Mbit FRAM採用相同的封裝形式，此外還可選48針FBGA封裝。
新的8Mbit FRAM給客戶帶來的好處是，在某些情況下可以省去SRAM所需的數據備份電池。富士通的FRAM產品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產生的種種問題，例如不再需要改變接口設計和PCB設計的額外工作，解決了SRAM寫入速度慢以及耐久度差的問題。
富士通半導體存儲器解決方案表示將繼續開發低功耗的FRAM產品。隨着功耗的降低，它的目標是減少二氧化碳排放，以減少溫室氣體，在繼續滿足市場和客戶的需求的同時開發環保型內存產品。