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創業邦獲悉，3月3日，蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱：晶湛半導體）宣布完成數億元B+輪戰略融資，本輪融資由歌爾微電子領投，高瓴創投、惠友資本、創新工場、禾創致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續加碼。
本次B+輪戰略融資將主要用於晶湛半導體總部和研發中心建設，項目達產後晶湛半導體將建成氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發生產基地，推動晶湛半導體進入新的發展階段。
蘇州晶湛半導體有限公司致力於為微波射頻和電力電子器件應用領域提供高品質氮化鎵外延材料。公司成立於2012年3月，坐落於江蘇省蘇州工業園區納米城。2013年8月，晶湛開始在蘇州納米城建設GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2萬片。
晶湛半導體高度重視自主研發和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有完全獨立的自主知識產權，晶湛半導體目前已在國內外累計申請近400項專利，其中已獲得超100項專利授權。公司還先後榮獲蘇州市技術發明一等獎、蘇州工業園區專利授權十佳企業、蘇州工業園區知識產權高質量創造獎、江蘇省百件優質發明專利、江蘇省高質量發明專利、蘇州市優秀專利獎、國家高新技術企業、蘇州市獨角獸培育企業、 蘇州市企業工程技術研究中心等一系列資質和榮譽。
創新工場執行董事熊昊表示，氮化鎵（GaN）在功率、射頻、光電領域有廣泛的落地場景，尤其在高頻和高功率領域應用效果特別出色，更可廣泛滲透和推動通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等產業迭代升級，是智能製造不可或缺的關鍵核心器件。未來氮化鎵在各領域的滲透率將快速提升，市場前景廣闊。晶湛半導體擁有全球領先的學術和產業化經驗，是全球最早，也是最頭部的氮化鎵外延技術公司之一。我們相信，在程凱博士的帶領下，晶湛半導體將持續引領技術的進步，通過整合上下游的資源，在功率、射頻和微顯示等終端應用爆發增長的浪潮中，成為產業鏈上核心的氮化鎵器件和材料供應商。
附
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