三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體製造公司之一，3nm節點是他們的一個殺手鐧，之前一直被良率不行等負面傳聞困擾，日前三星公司終於亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產，比台積電還要早一些。
日前美國總統參觀了三星位於平澤市附近的芯片工廠，這裡是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝製造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。
對三星來說，3nm節點是他們押注芯片工藝趕超台積電的關鍵，因為台積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術，三星的3nm節點就會啟用GAA技術，這是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。
根據三星的說法，與7nm製造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET工藝。
根據三星之前的表態，3nm工藝將在2022年Q2季度量產，這個進度相比台積電的3nm工藝還要激進，後者今年下半年也只能小規模試產，明年才會大規模量產3nm工藝。