日本和美國已同意密切合作，推進 2nm 半導體工藝開發和量產。日經財經報紙發表的一篇報道稱，日本經濟產業大臣萩田晃一於周一抵達美國，就這一合作努力進行了會談。報道稱，美日兩國政府的想法是利用兩國各自的技術優勢，建立一個最先進的半導體供應鏈，該供應鏈非常“安全”，不會將技術外泄。
《日經》對日本必須為合作夥伴提供的東西提供了更詳細的信息。報道表示日本在硅片製造、光敏劑製造、半導體表面處理用磨料等重要半導體技術方面具有優勢，並建立了一些關鍵的半導體製造設備。可能參與合作的一些日本組織包括東京電子、佳能和國立先進工業科學技術研究所。
目前尚不清楚美國方面將涉及哪些技術和商業實體，但看起來很可能是 IBM和英特爾。
萩田晃一參觀了美國最先進的半導體研究設施，並與 IBM 的 CTO Dario會面
報道稱，新的日美技術協議有幾個關鍵原因。首先是能避免技術泄露。
日美協議的另一個原因是台積電不會在島外建立尖端的代工廠。台積電在美國和日本廣受歡迎的代工計劃預計將僅限於 10-20nm 芯片生產。同時，台積電預計將在 2026 年向客戶提供中國台灣製造的 2nm 產品。
自 1990 年以來，曾佔據過全球半導體一半市場的日本對全球半導體市場的參與度急劇下降。2022年其市場份額將接近10%。