NAND閃存廠商都準備在2022年底到2023年期間推出200層以上的芯片產品，這是行業向更高密度的3D
NAND閃存過渡的里程碑。據《電子時報》援引消息人士稱，在這些供應商中，三星電子和美光科技可能是首批開始批量生產200層以上3D
NAND閃存芯片的廠商。
該人士表示，三星在韓國平澤的新工廠於2021年下半年開始生產，並將在今年提高176層3D NAND芯片的產量。過渡到176層3D NAND閃存製造，預計將使三星新工廠的總產量在2022年提高到每月5萬個晶圓。
此外，三星還計劃在中國西安工廠擴大128層3D NAND芯片的產量。目前，該工廠正在建設第二期工廠，每月可生產13萬至14萬片晶圓。第一期工廠的月均生產量為12萬個。
該消息人士認為，三星西安工廠將是決定其定價策略的關鍵，因為該工廠產量的大幅增加將有助於大幅降低供應商的整體生產成本。三星在晶圓廠的產量增加一倍以上的能力，也將為其未來的市場領導地位奠定基礎。
此外，三星決定將其雙層技術整合到其176層3D NAND製造工藝中，可以加速其向200層以上一代的過渡，並有助於擴大其相對於競爭對手的技術領先優勢。
與此同時，據業內消息人士稱，鎧俠可能成為日本政府68億美元半導體投資計劃的受益者之一。政府的補貼可能會幫助鎧俠在岩手縣的北上進行擴建項目，在那裡將建立一個新的K2工廠。鎧俠在該地有一家3D NAND閃存工廠K1。
鎧俠尚未披露其向200層以上3D NAND工藝生產過渡的計劃，但已宣布其與西部數據聯合開發的162層3D NAND。市場觀察人士預計，鎧俠將在2022年至2023年期間將162層3D NAND作為其主流製造工藝。
另外據報道，英特爾在其3D NAND閃存製造中採用了雙棧的方法，消息人士稱，該公司到2023年將推進到196層。
而美光早在2022年1月就宣布已開始批量出貨其宣稱業界首款176層QLC NAND SSD硬盤。公司此前表示，它將努力在整個行業的利潤池中獲得更大的份額，而非增長其在行業產量中的份額。
儘管進入NAND閃存市場較晚，但長江存儲在提高128層3D NAND閃存的生產收益率方面取得了進展。據中國大陸業內消息人士稱，長江存儲已將64層3D NAND閃存製造的收益率提高到成熟水平。
消息人士稱，長江存儲有望在2022年上半年實現月產量增至10萬片的目標。這家芯片製造商正努力進入中國一線品牌供應鏈，並將其目標市場擴大到包括手機和個人電腦應用。
據chinflashmarket預測，2020-2025年，全球NAND閃存市場將以30%的複合年增長率增長，而數據中心市場在未來五年內將以39%的複合年增長率增長。（校對|Value）