三星提升QLC閃存性能:寫入可達320MB/s 重新超越機械硬盤

隨着閃存的發展,如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC閃存了,這讓消費者很不爽,因為QLC閃存不僅可靠性差,而且性能也慢很多,沒有緩存加速的時候,性能甚至跑不過HDD機械硬盤。QLC閃存性能差是先天性的,如果用光了緩存容量空間,現在的QLC閃存真實寫入速度也就100MB/s,三星的870 QVO硬盤之前有人實測過,拷貝文件的速度也就160MB/s,這個速度甚至還不如一些HDD機械盤快。

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三星也注意到這個問題了,未來也會重點關注QLC閃存的性能,目前他們使用的QLC閃存主要還是96層堆棧的V5 QLC,明年會跳過V6 QLC,直接進入176層的V6 QLC閃存時代。

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根據三星所說,新一代QLC閃存性能好得多,寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍,不過這是針對V4 QLC閃存的,相比現在的V5 QLC大概能提升一倍,意味着寫入性能可提升到320MB/s。

不考慮緩存加速,320MB/s的原始寫入性能已經相當可觀了,足以讓SSD性能重新超過HDD硬盤,並且跟TLC閃存一較高下,相關產品預計在明年上市。

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