在 2021 年度技術日活動期間，三星電子透露了有關下一代硬件開發的諸多規劃。首先從遵循 JEDEC 規範的 DDR5 標準內存模組開始，該公司計劃後續推出更高規格的 SKU 。雖然仍處於開發階段，許多細節還有待進一步證實，但我們大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之類的高頻模組將會到來。
其次是下一代 DDR6 內存標準，據說其速率是 DDR5 的兩倍。儘管 DDR6 規範仍處於早期開發階段，但據 TechPowerUp 所述，每條內存模組的通道數量從 2 個升級到了 4 個，Bank 也增加到了 64 。
除了面向台式機 / 服務器平台的 DDR6 芯片，三星電子還致力於開發面向移動平台的低功耗衍生版本（LPDDR6）。
工藝方面，該公司定於 2022 年初啟用 1a-nm 來製造 LPDDR5 內存，因而目前討論 LPDDR6 還有些為時過早。
據說 DDR6 內存的基準速率會達到 128800 MT/s，高端超頻模組更可以達到 17000 MT/s 。
接下來是面向圖形市場的 GDDR 和 HBM 產品線，預計 GDDR6+ 將把速率從 18000 MT/s 提升至 24000 MT/s，輔以 1z nm 的首選製程工藝（有望本月開始啟用）。
之後將是取代 GDDR6+ 的 GDDR7 顯存，其速率有望達到 32000 MT/s，並且引入一項名叫“實時錯誤保護”的新功能（猜測為某種形式的 ECC 糾錯方案）。
最後，這家韓國電子巨頭宣稱定於 2022 年 2 季度量產速率高達 800 GB/s 的 HBM3 產品，預計主要面向合作夥伴的人工智能等特定解決方案。