2019年9月份，合肥長鑫量產了國內首款DDR4內存芯片，這兩年來已經在多個國產內存品牌中商用，性能、價格都不錯。根據資料，合肥長鑫集成電路製造基地項目總投資超過2200億元，選址位於合肥空港經濟示範區，佔地面積約15.2平方公里，由長鑫12吋存儲器晶圓製造基地（以下簡稱“基地”）、空港集成電路配套產業園、空港國際小鎮三個片區組成。
其中，長鑫12吋存儲器晶圓製造基地項目是中國大陸第一個投入量產的DRAM設計製造一體化項目，也是安徽省單體投資最大的工業項目，總投資約1500億元；空港集成電路配套產業園，位於基地以西，總投資超過200億元；
合肥空港國際小鎮位於基地以北，規劃土地面積9.2平方公里，規劃總建築面積420萬平方米，總投資約500億元。
截至2020年底，合肥長鑫12吋存儲器晶圓製造基地項目提前達到4萬片/月產能，今年3月份開始啟動6萬片/月產能建設，實現了從投產到量產再到批量銷售的關鍵跨越。
內存技術上，長鑫量產的第一代DDR4/LPDDR4芯片是19nm工藝，此前一直沒有公布具體細節，日前兆易創新在一次會議上透露長鑫的19nm工藝良率已達75%。
75%的良率在業內不算頂尖水平，不過考慮到長鑫生產內存不到2年時間，現在的良率表現已經不錯了，製造出來還是能保證毛利的。
此外，長鑫的第二代內存升級到了17nm工藝，具體良率沒公布，但目前會比較低，還在爬升中。