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品玩6月29日訊，據BusinessKorea報道，三星電子將於6月30日開始批量生產基於全環繞柵極（GAA）技術的3納米半導體。
報道稱，三星電子將於6月30日正式宣布大規模生產基於GAA的3納米半導體。GAA晶體管結構優於目前的FinFET結構，因為它可以減少芯片尺寸和功耗。
如果消息屬實的話，那麼三星電子將搶先台積電和英特爾量產3納米芯片，后兩家公司分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產3納米芯片。
據了解，在競爭激烈的3nm製程工藝方面，三星電子和台積電的技術路線並不相同，三星電子率先採用全環繞柵極（GAA）晶體管，台積電則是繼續採用鰭式場效應晶體管（FinFET）架構。三星電子此前曾表示，採用全環繞柵極晶體管技術的3nm製程工藝，同當前的鰭式場效應晶體管架構相比，性能將提升30%，能耗降低50%，邏輯面積效率提升超過45%。
媒體報道
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事件追蹤
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