在Intel去年推出的IDM 2.0戰略中，在美國本土投資200億美元建設2座先進工藝晶圓廠是非常關鍵的一環，前幾天傳出了跳票的消息，因為美國官方的520億美元芯片補貼法案還沒通過，不過現在消息稱Intel已經得到了補貼，新工廠已經開工了。
據digitimes報道，日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地，這項投資金額高達200億美元。
雖然工廠開工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問題，美國政府補助將決定建廠規模，此前Intel表示由於政府520億美元規模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規模，甚至威脅去歐洲建廠。
根據Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，並首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝，這是Intel面向未來的CPU工藝，首次進入后納米時代，首發埃米級工藝，其中的A就代表埃米。
雖然工藝細節還沒公布，不過20A相當於友商的2nm工藝，還會有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。
根據Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。
PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。