台達電斥資3.2億新台幣成立碇基半導體“籌備處” 進軍第三代半導體

6月24日,據台媒《經濟日報》報道,台達電進軍半導體領域,昨(23)日宣布斥資3.2億元新台幣成立碇基半導體籌備處,鎖定第三代半導體,並從設計端切入。未來,不排除台達電再引進合作夥伴加入,以壯大實力。

台達電斥資3.2億新台幣成立碇基半導體“籌備處” 進軍第三代半導體

報道稱, 業內人士解讀,台達電以全球電源供應器龍頭之姿加入第三代半導體行列,雖然初期僅先投資3.2億元新台幣成立“籌備處”,但意義重大,凸顯第三代半導體後市受到國際大廠高度期待。

台達電錶示,將先成立碇基半導體,進入前端電源技術與第三代半導體的研究開發與相關產品生產與銷售。未來,台達電希望藉由掌握上游端設計,提供關鍵半導體零部件,進而掌握第三代半導體應用趨勢,且不排除引進半導體相關戰略合作夥伴。

台達電指出,碇基半導體暫定資本額4億元新台幣,台達電持股八成,其餘股權由旗下子公司台達資本、創始員工認購各半。碇基半導體主要掌舵的關鍵人物為台達資本董事長劉亮甫,以及原台達電先進元件與模組事業部主管邢泰剛。

報道指出,據了解,碇基半導體初期鎖定600伏電源供應器等產品。外界看好,由於5G通訊、電動車、高功率電源等新興應用對功率元件效能需求提高,以及氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)在耐高溫、高電流環境下仍有極佳效能,加上全球開始重視碳排放問題,高能效、低能耗的氮化鎵及碳化硅成為第三代半導體的新世代商機。(校對/思坦)

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