碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料,在功率半導體等領域具有巨大應用潛力,但長期以來面臨大尺寸晶體製備的工藝難題,碳化硅單晶襯底在器件成本中佔比也高達近50%。
近期,中科院物理研究所科研人員通過優化生長工藝,改善晶體結晶質量,成功製備單一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶體,並加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片,實現了國產大尺寸碳化硅單晶襯底的突破。
中科院方面表示,該成果轉化后,將有助於增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力。
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料,在功率半導體等領域具有巨大應用潛力,但長期以來面臨大尺寸晶體製備的工藝難題,碳化硅單晶襯底在器件成本中佔比也高達近50%。
近期,中科院物理研究所科研人員通過優化生長工藝,改善晶體結晶質量,成功製備單一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶體,並加工出厚度約2mm的8英寸SiC晶片,實現了國產大尺寸碳化硅單晶襯底的突破。
中科院方面表示,該成果轉化后,將有助於增強我國在SiC單晶襯底的國際競爭力。