近期有一家名為芯微電子的功率半導體芯片製造企業遞交了創業板上市招股書。長期以來在大家的印象里，芯片行業屬於“高精尖”行業，從業者大多數為碩士或博士學歷。但在芯微電子的招股書中提到，在冊員工中本科僅有16人，且本科已經是該公司在冊員工中的最高學歷。那麼芯微電子真的就靠這16個本科生“搞”芯片嗎？
TechWeb 文 /薛定諤之鹹魚
有沒有一種可能 芯微電子其實是有博士的？
在芯微電子的招股書，對於員工學歷構成是這樣描述的：
公司在冊員工學歷構成情況如下：本科16人、大專123人、高中及以下654人。
從這樣的數據看，本科學歷在該公司已經算高學歷了。由此也引發了網友間的熱烈討論，有些網友認為模擬版圖和前端設計工作對於經驗豐富的本科生也可以勝任，而有些網友則表示不太相信這樣的情況。
很多分析文章也基於此直接認定了芯微電子沒有碩士、博士，僅靠本科生和專科生在搞芯片。
那麼如果我們跳出這個思維來分析，有沒有可能芯微電子其實是有博士的？只是博士不屬於“在冊員工”。
在招股書中核心技術人員情況一章中有這樣的介紹：饒祖剛，北京大學電子與通信工程專業碩士學位。主持公司6英寸MOSFET晶圓生產線建線和技術支持，負責公司新產品的開發、產業化及量產產品的技術改進工作。
這位 “實名認證”的碩士生說明了，參與芯微電子研發工作的科研人員中，擁有碩士及以上學歷但不屬於“在冊員工”的情況是存在的。
來源：芯微電子官網
（註：黃山芯微電子股份有限公司系由原安徽省祁門縣黃山電器有限責任公司整體變更設立的股份公司。）
其實如果我們仔細閱讀招股書就會發現，芯微電子有個博士后科研工作站。並且查詢其官網上的信息也可以發現，該博士后科研工作站在2013年時就已經成立了，至今已有9年的歷史。
對於半導體和芯片研發工作來說，有能力的本科生也許能夠勝任。但博士后科研工作站這個事是必須要博士生參與的。就比如一個人即使不知道“知網是什麼”，那他也要有博士學位才能進入到博士后工作站進行科研工作。而且這個博士后科研工作站已經運行9年了，這期間肯定是有博士參與到了研發工作。
功率半導體芯片
根據招股書上的信息，芯微電子的主營業務為功率半導體芯片、器件和材料的研發、生產和銷售，具體產品以晶閘管為主，涵蓋MOSFET、整流二極管和肖特基二極管及上游材料（拋光片、外延片、銅金屬化陶瓷片）。而晶閘管這類產品除研發環節外，其它例如生產和銷售環節的相關工作所需學歷是不高的。
來源：《功率半導體分立器件產業及標準化白皮書》
而根據中國電子技術標準化研究院主編的《功率半導體分立器件產業及標準化白皮書》（2019版）中的定義，這些產品基本可以歸屬於“分立元器件”這個分類下。另外在白皮書中也指出了半導體分立器件芯片是指未封裝的半導體分立器件。
以MOSFET為例，芯微電子的MOSFET產品包括芯片和塑封器件。封裝前的產品被稱作“芯片”，封裝后的產品稱為“器件”。或者通俗點說，這裡的“芯片”指的是分立元器件的半成品，其它廠商可以購買這樣的半成品回去封裝成為自己的產品。
但是芯微電子的這個“芯片”和我們一般概念上的芯片（數字芯片）差距其實是非常大的。
就比如我們熟知的手機CPU芯片蘋果A15、麒麟9000，這些芯片的晶體管數量都超過了100億。即使是前幾年的CPU，晶體管數量也是以億為單位的。
來源：ST
而對於功率半導體芯片或者模組來說，晶體管數量（或者等效晶體管數量）一般是以個為單位。以ST的一款MOSFET產品為例，其電路結構是十分簡單的。
對於數字芯片的製造來說，他們需要將儘可能多的晶體管塞進芯片中，而功率半導體芯片則不需要。也因此功率半導體芯片的製造不需要依賴最先進的光刻機、最先進的刻蝕機等設備。
在招股書中公示的採購合同一欄中我們可以看到，芯微電子近期採購了全自動單光刻機5 台，金額為600萬元，摺合一台價值120萬元。從整個行業來看，120萬一台的光刻機確實算不上先進光刻機。
而在公司技術儲備這一節中，超光刻機能力的微細線條加工技術可以使最小掩蔽線寬達到小於 0.4um水平 。這也能說明芯微電子目前使用的大多數光刻機加工能力並沒有達到0.4um（400納米）的水平。
結語
在文章的最後，我有一些想法和補充的信息，在此分享給大家。
1、芯微電子目前的業務幾乎不需要先進光刻機，基本沒有被制裁的風險。
2、半導體的生產效率和成本與硅片尺寸直接相關。一般來說，硅片尺寸越大，用於產出半導體芯片的效率越高，單位耗用原材料越少。在產能方面，芯微電子擁有4 英寸、5 英寸和6 英寸功率半導體晶圓生產線。與國際大廠的12英寸生產線相比，產能上會有不小的差距。與國內擁有8英寸產線的立昂微相比，也有一定的差距。
3、近日總投資約80億元的12英寸特色工藝半導體芯片項目簽約，建成后將成為華北地區首個12英寸功率半導體生產線。國內功率半導體行業正在加速朝着12英寸產線發展。
4、從功率半導體行業來看，硅基材料的晶圓襯底為目前仍為市場主流。但未來有朝着例如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體發展的趨勢。
5、芯微電子 目前沒有關於第三代半導體方面的明確布局。
6、芯微電子在招股書中披露了與電子科技大學合作研發情況，芯微電子出資65萬並提供相應配套條件，而電子科技大學最終將交付優化性價比高壓功率MOSFET芯片。這種研發模式可以作為公司整體研發的一種補充。