兆易創新10萬次壽命38nm閃存量產:供應鏈所有環節均來自國內

2月22日,兆易創新通過官方公眾號宣布,旗下全國產化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通過AEC-Q100車規級認證。兆易創新表示,該系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6產品,覆蓋1Gb-4Gb容量,從設計研發、生產製造到封裝測試所有環節,均採用國內供應鏈。

極大程度上填補了國產大容量車用存儲器的空白,全面進入汽車應用領域,並且兆易創新擁有強大的本地化支持和快速的客戶響應能力,加速助力汽車應用的國產化。

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兆易創新GD5F系列SPI NAND Flash 芯片使用成熟的38nm製程工藝,採用WSON8 8mmx6mm少引腳、小型化封裝,在狹小空間內實現大容量的選擇;其內置ECC糾錯模塊,在保留NAND成本優勢的前提下,極大提高產品的可靠性;並且在-40℃~105℃的寬溫度範圍內,實現高達10萬次的擦寫性能。

目前,兆易創新GD5F全系列SPINAND Flash 均已通過AEC-Q100車規級認證,並且在其久經驗證的車規級GD25 SPI NOR Flash基礎上形成了有效的擴展。

在Flash存儲器領域,兆易創新已實現從SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的車規級產品的全面布局,為車載應用的國產化提供豐富多樣的選擇,這也極大凸顯了兆易創新在汽車領域持之以恆的投入和創新。

兆易創新GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash車規級產品均已量產。

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