傳聯電擬斥資1000億新台幣在新加坡建新12英寸晶圓廠

近日市場有消息稱聯電計劃投資逾1000 億元新台幣在新加坡建設第二座12英寸晶圓廠,月產能至少2萬~3萬片,或生產40nm以下製程的芯片。據鉅亨網報道,聯電對此回應稱,新加坡本來就有設廠,在全球有據點的地方持續評估建廠規劃,不過目前還沒有確切地點。

傳聯電擬斥資1000億新台幣在新加坡建新12英寸晶圓廠

據了解,聯電新加坡廠Fab 12i位於白沙晶圓科技園區,於2004年開始量產,月產能為5 萬片,製程為0.13微米至40nm,產品涵蓋FPGA、無線通訊芯片等。

業界人士認為,聯電此次可能采40nm以下製程,如28nm製程生產芯片。

據悉,晶圓代工產能持續供不應求,聯電5月1日、7月1日代工報價已漲過兩波。由於產能不足,聯電計劃擴充在台南科學園區 Fab 12A P6廠區產能,將採用28nm製程,月產能2.75萬片,客戶將以議定價格預先支付訂金,預計新產能將於2023年第2季度開出。

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