SK 海力士剛剛宣布了 HBM3 DRAM 存儲器的最新開發進展，可知新一代內存標準不僅帶來了更高的帶寬，還可通過垂直堆疊來增加容量。從去年 7 月量產 HBM2E 內存開始，該公司就已經在着手 HBM3 新品的研發。隨着今日的公告，我們得知 SK 海力士將帶來兩款衍生型號。
（來自：SK Hynix 官網）
除了基於 8-Hi 堆棧的 16GB SKU，SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成 12-Hi 堆棧的 24GB SKU，此外該公司提到其已將 DRAM 芯片的層高縮減至 30 μm 。
負責 DRAM 開發的執行副總裁 Seon-yong Cha 表示：
自推出全球首款 HBM DRAM 以來，SK 海力士在引領 HBM2E 市場之後，又成功開發了業內首款 HBM3 DRAM 。
我們將繼續努力鞏固自身在高端內存市場的領導地位，並通過提供符合 ESG 管理標準的產品，來幫助提升客戶們的價值。
性能方面，SK 海力士預計其 HBM3 DRAM 的每個堆棧可提供 819 GB/s 的帶寬，較 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 提升了 78% 。
以英偉達 A100 加速卡為例，若在其 GPU 基板上整合 6 個 HBM2E DRAM 堆棧，總帶寬可衝擊 5 TB/s 。然而當前的產品，僅受限於 2.0 TB/s 。
此外如果使用 24GB 的 HBM3 DRAM 芯片，其理論總容量可達到 144 GB 。即使考慮到 5 / 6 的良率，也還有 120GB 可用。
WCCFTech 推測，英偉達 Ampere 和 AMD CDNA 2 的繼任者（Ampere Next 與 CDNA 3），有望率先採用 HBM3 內存。
那樣來年的高性能數據中心和機器學習平台，將極大地受益於此。早些時候，Synopsys 還宣布其正在增加具有 HBM3 IP 和驗證解決方案的多芯片架構設計。