研究人員首次為超薄半導體配備了超導觸點

巴塞爾大學的研究人員宣布,他們首次為超薄半導體配備了超導觸點。所使用的材料非常薄,具有新穎的電子和光學特性,研究人員認為這可能為以前無法想象的應用鋪平道路。當超薄半導體與超導體結合時,它們有望帶來新的量子現象,並在量子技術中找到用途。

研究人員首次為超薄半導體配備了超導觸點

半導體是現代電子設備中最關鍵的部件之一,因此,研究人員一直專註於開發由單一單層半導體材料組成的新半導體。一些天然存在的材料利用單層堆積形成的三維晶體提供半導體特性。研究人員可以在實驗室環境中分離這些層,它們的厚度不超過一個分子,然後用它們來構建電子元件。

超薄半導體可以提供獨特的特性,它們能夠利用電場來影響內部電子的磁矩。半導體單層也有複雜的量子力學現象在裡面發生,可以應用於量子技術。研究人員目前正在研究如何利用被稱為范德瓦爾斯異質結構的薄半導體形成新的合成材料。

雖然一直在研究堆疊這些層,但這項研究標誌着首次將單層與超導觸點結合起來。來自巴塞爾大學的研究人員將半導體二硫化鉬的單層與超導觸點相結合。這一突破的重要性讓研究人員非常感興趣,因為他們相信這種組件可以表現出新的特性和物理現象。