在今天的台北電腦展（Computex 2021）主題演講期間，AMD CEO 蘇姿豐博士詳細介紹了近期多次爆料過的所謂“Zen 3+”CPU 架構。雖然沒有明確提及“Zen 3+”的名稱，但她還是透露 AMD 與台積電合作開發了全新的 3D 芯片堆疊技術 —— 在結構硅襯底的基礎上，運用了 TSV 硅通孔技術。
TechPowerUp 指出，AMD 在“Zen 3”CCD 模組的 64MB L3 緩存頂上設置了 64MB 的 SRAM 高速緩存，並將之稱作 3D Vertical Cache 三維垂直緩存。
雖然不知道具體緩存的層次結構有怎樣的改變，但這樣新穎的理念還是讓我們對其性能表現充滿了好奇。比如 64MB 附加緩存是否與片上 L3 緩存相鄰，或者作為 L3 / L4 級緩存的一部分。
官方聲稱 3D 垂直緩存技術可將平均遊戲性能提升 15%，憑藉類似於代際升級的性能改良，AMD 有望在 Zen 4 到來之前，與英特爾 Rocket Lake-S 競品“爭鋒相對”。
預計首批採用 3D 垂直緩存技術的 AMD 處理器將於 2021 年底開始到貨，意味着它很可能就是傳說中的銳龍 6000 系列台式處理器。而基於 5nm Zen 4 架構的銳龍 7000 系列，則定於 2022 年與大家見面。
至於 AMD 新 CPU 的終端發布計劃，目前暫不得而知。此外在 Computex 2021 的主題演講體驗，AMD CEO 更多地還是展示了 Socket AM4 接口的產品。
最後，如果基於 AM5（LGA 1718）新接口的處理器能夠在今年晚些時候到來，那 Zen 3+ / 3D 垂直緩存技術還是有望通過 IO 小芯片的更新，帶來對 AM5 接口 / DDR5 內存的支持的。