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三星電子21日宣布，以12納米級工藝開發出16Gb DDR5 DRAM，並於近期完成了與AMD的兼容性驗證。
三星電子通過應用具有高介電常數 (K) 的新材料增加了存儲電荷的電容器的容量，並通過創新設計完成了業界最先進的工藝以改善電路特性。
此外，採用多層EUV（極紫外光）曝光技術，實現了業界最高水平的集成度。與上一代產品相比，12nm 級 DRAM 的生產率提高了約 20%。DDR5標準的這款產品最高支持7.2Gbps的運行速度。這是一個可以在一秒鐘內處理兩部 30GB 超高清電影的速度。功耗較上一代提升約23%。
三星電子計劃通過提高性能和能效來擴展其 12 納米級 DRAM 產品線，並計劃將其供應給數據中心、人工智能和下一代計算等各種應用。
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事件追蹤
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