當地時間9月9日，Intel CEO基辛格宣布在美國俄亥俄州投資200億美元新建大型晶圓廠，這是Intel IDM 2.0戰略的一部分，整個投資計劃高達1000億美元，新工廠預計2025年量產，屆時“1.8nm”工藝將讓Intel重新回到半導體領導者地位。
基辛格去年2月份擔任Intel CEO以來，開始大力推動在美國及全球建廠，其中美國本土的投資至少超過400億美元，去年已經在亞利桑那州投資200億美元建晶圓廠，這次是在俄亥俄州同樣投資200億美元，還在新墨西哥州建設新的封測工廠。
Intel這座工廠也是美國通過528億美元的芯片補貼法案之後本土新建的大型半導體芯片廠，為此美國總統也出席了開工儀式，還有俄亥俄州州長等地方部門高官。
Intel的芯片製造基地將有2座晶圓廠組成，最多可容納8個廠房及配套的生態支持系統，佔地面積將近1000英畝，也就是4平方公里之大，將創造3000個高薪工作崗位，7000多個建築工崗位，以及數萬個供應鏈合作崗位。
這兩座晶圓廠預計會在2025年量產，Intel沒有具體提到工廠的工藝水平，但是Intel之前表示要在4年內掌握5代CPU工藝，2024年就要量產20A及18A兩代工藝，因此這裡的工廠屆時應該也會量產18A工藝。
20A、18A是全球首個達到埃米級的芯片工藝，相當於友商的2nm、1.8nm工藝，還會首發Intel兩大黑科技技術Ribbon FET及PowerVia。
根據Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。
PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。
