3nm彎道超車台積電之後 三星2nm工藝蓄勢待發

今天下午,知名遊戲主播PDD在微博上公開道歉,因為此前在直播間唱了《向天再借五百年》,結果遭原作者索賠10萬元。對此,PDD表示自己和版權方律師的友好溝通,獲得了《向天再借五百年》詞曲作者的諒解。

在6月最後一天,三星宣布3nm工藝正式量產,這一次三星終於領先台積電率先量產新一代工藝,而且是彎道超車,後者的3nm今年下半年才會量產。

根據三星官方介紹,在3nm芯片上,其放棄了之前的FinFET架構,採用了新的GAA晶體管架構,大幅改善了芯片的功耗表現。

3nm彎道超車台積電之後 三星2nm工藝蓄勢待發

與5nm相比,新開發的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,並同時提升23%的性能。

第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時面積減少35%,效果更好。

再往後呢?三星也有了計劃,3nm GAP工藝之後就會迎來2nm GAP工藝,也是基於納米片技術的GAA晶體管,但是結構進一步優化,從3個納米片提升到4個,可以提高驅動電流,同時還會優化堆疊結構以提升性能,降低功耗。

2nm GAP工藝的量產時間也定了,預計在2025年量產,時間點跟台積電量產2nm工藝差不多,而且很可能在技術上領先後者,因為台積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏,提升只有10%。

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