台積電3nm製程工藝即將投產:密度比5nm高60%

據techpowerup報道稱,台積電正在開發3nm的工藝製程,包括了N3、N3B和N3E多個節點。據了解,台積電原計劃在2022下半年量產N3節點,N3E量產計劃為2023年下半年。但由於作為3nm簡化版的N3E節點,量產率較高,台積電希望早日實現商業化,可能提前到2023年上半年。

N3E的工藝流程也已經提前準備好了,在這個月底就會確定下來。

據悉,N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數,從25層減少到21層,邏輯密度低了8%,不過仍比5nm的N5製程節點要高出60%,並且具有更好的性能、功耗和產量。

相比之下,據說N3的邏輯密度比N5高70%。

還有N3B,據說是針對某些客戶的 N3 的改進版本,不過我們目前對N3B節點知之甚少。

無論N3E還是N3B,都不是用於取代N3,只是讓客戶有更多的選擇,在不同產品上有更好的性能和功耗表現。

台積電3nm製程工藝即將投產:密度比5nm高60%

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