南芯半導體聲明:小米澎湃P1為小米自研設計

2月8日消息,今天下午南芯半導體發布《關於對小米澎湃P1不實傳言的說明》稱, 近日關注到網絡上出現了很多關於小米澎湃P1的不實傳言,與事實完全不符。南芯半導體在說明中表示,小米澎湃P1芯片為小米自研設計、南芯半導體代工(內部代號SC8561)。

這款芯片具備超高壓4:1充電架構,實現了120W單電芯充電,支持1:1、2:1和4:1轉換模式,所有模式均可雙嚮導通,可實現有線120W、無線50W、無線反充等多種充電功能。

南芯半導體2021年9月發布的南芯SC8571,為超高壓4:2充電架構,可實現120W雙電芯充電,其針對超大功率充電需求,支持4:2、2:2兩種模式。

小米自研的澎湃P1充電芯片與南芯SC8571拓撲結構完全不同,是不同設計、不同功能、不同定位的兩顆充電芯片。

南芯半導體聲明:小米澎湃P1為小米自研設計

今年1月份,小米推出了第三款自研芯片“澎湃P1”,由小米12 Pro首發。這是一顆專門的快充芯片,對應的“神仙秒充”技術也獲得了2021小米年度技術大獎二等獎。

據介紹,澎湃P1實現了“120W單電芯”充電的突破,這是以往單電芯電池完全無法做到的高功率快充,而單電芯相比於雙電芯帶來的最顯著的優點就是能更節省空間,同等體積下容量更大,對於機身控制也更有優勢。

官方稱,澎湃P1的研發歷經18個月,四大研發中心通力合作,耗資過億,最後終於實現輕薄機身下的大電量120W快充。

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