市場監管總局收到環球晶圓股份有限公司（以下簡稱環球晶圓）收購世創股份有限公司（以下簡稱世創）股權案（以下簡稱本案）的經營者集中反壟斷申報。經審查，市場監管總局決定附加限制性條件批准此項經營者集中。根據《中華人民共和國反壟斷法》（以下簡稱《反壟斷法》）第三十條規定，現公告如下：
一、立案和審查程序
2020年12月25日，市場監管總局收到本案經營者集中反壟斷申報。經審核，市場監管總局認為該申報材料不完備，要求申報方予以補充。2021年3月29日，市場監管總局確認經補充的申報材料符合《反壟斷法》第二十三條規定，對此項經營者集中予以立案並開始初步審查。2021年4月28日，市場監管總局決定對此項經營者集中實施進一步審查。2021年7月27日，經申報方同意，市場監管總局決定延長進一步審查期限。2021年9月24日，進一步審查延長階段屆滿前，申報方申請撤回案件並得到市場監管總局同意。2021年9月29日，市場監管總局對申報方的再次申報予以立案審查。目前，本案處於進一步審查階段，截止日期為2022年1月26日。市場監管總局認為，此項集中對全球和中國境內8英寸區熔晶圓市場具有或可能具有排除、限制競爭效果。在審查過程中，市場監管總局徵求了有關政府部門、行業協會、同業競爭者及下遊客戶意見，了解相關市場界定、市場參與者、市場結構、行業特徵等方面信息，並對申報方提交的文件、材料真實性、完整性和準確性進行了審核。
二、案件基本情況
收購方：環球晶圓於2011年在中國台灣地區註冊成立，2015年在台灣證券交易所上市，最終控制人為中美矽晶製品股份有限公司，主要從事晶圓製造、太陽能電池和組件等相關業務。
被收購方：世創於1996年在德國註冊成立，2015年在法蘭克福證券交易所上市，股權分散，無最終控制人，主要從事晶圓製造相關業務。
2020年12月9日，交易各方簽署協議。集中完成後，環球晶圓單獨控制世創。
三、相關市場
（一）相關商品市場。
環球晶圓和世創均從事晶圓製造業務，雙方存在橫向重疊。根據晶圓尺寸不同，業內普遍將晶圓分為6英寸及以下、8英寸和12英寸。同時，根據製造工藝不同，8英寸晶圓可進一步細分為直拉晶圓和區熔晶圓。
晶圓是表面平坦，厚度約為1毫米的硅晶片，其原材料為從石英和沙中提取出的硅元素。晶圓是製造芯片等半導體產品的基礎材料，處於整個半導體產業鏈上游。從需求替代看，晶圓主要用於生產半導體集成電路和分立器件，目前尚無其他產品能夠替代。從供給替代看，晶圓生產需首先製造圓柱形硅塊，並通過一系列工序將其切割成薄片，具體流程包括晶體成型、削磨、金屬絲切割、磨邊、磨製、清潔、刻蝕、拋光和外延附生等。其生產工藝具有較高技術含量，需要運用外延、拋光和刻蝕等專用設備。
根據尺寸不同，晶圓可分為6英寸及以下晶圓、8英寸晶圓和12英寸晶圓。6英寸及以下晶圓直徑通常小於150mm，8英寸晶圓直徑為200mm，12英寸晶圓直徑為300mm。從需求替代看，8英寸晶圓為目前半導體製造企業使用的主流產品，12英寸晶圓技術較為先進，目前尚處於起步階段，6英寸及以下晶圓單位成本相對較高，市場需求和產量正逐步減少，三者應用領域不同，相互間缺乏替代性。從供給替代看，三者需要使用不同的生產設備和工藝技術，相互間轉產難度較高。
根據製造工藝不同，8英寸晶圓可進一步細分為8英寸直拉晶圓和8英寸區熔晶圓。直拉法是通過直筒型熱系統，將多晶硅在石英坩堝中融化后將籽晶插入溶體表面，並緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩和生長等流程后，形成單晶硅。區熔法是利用熱能在棒料一端形成熔區后，熔接單晶籽晶，並調節溫度使熔區緩慢向另一端移動，形成整根單晶硅。從需求替代看，8英寸直拉晶圓主要用於製造晶體管和二極管，8英寸區熔晶圓主要用於製造功率半導體器件，其擁有較好的耐電壓和電流性能，二者相互間缺乏替代性。從供給替代看，直拉法和區熔法運用的晶圓生長原理不同，需要使用不同的生產設備和生產工藝，企業轉產難度較大。
綜上，本案相關商品市場界定為6英寸及以下晶圓、8英寸直拉晶圓、8英寸區熔晶圓和12英寸晶圓。
（二）相關地域市場。
本案所涉相關商品均在全球範圍內供應和採購，供應商在全球範圍內展開競爭，產品在不同國家不存在明顯價格差異，且產品運費佔最終售價比例較低，不存在顯著跨境貿易壁壘。因此，上述商品的相關地域市場界定為全球，同時考察中國境內市場的情況。
四、競爭分析
根據《反壟斷法》第二十七條規定，市場監管總局從參與集中的經營者在相關市場的市場份額及其對市場的控制力、相關市場的市場集中度、集中對下游用戶企業和其他有關經營者的影響等方面，深入分析了此項經營者集中對市場競爭的影響，認為此項集中對全球和中國境內8英寸區熔晶圓市場具有或可能具有排除、限制競爭效果。
（一）交易進一步提高了集中后實體在全球和中國境內8英寸區熔晶圓市場控制力。
2020年，在全球8英寸區熔晶圓市場，環球晶圓和世創市場份額合計為55%—60%；在中國境內8英寸區熔晶圓市場，環球晶圓和世創市場份額合計為30%—35%。集中后實體在全球和中國境內市場份額分別排名第1和第2，對相關市場的控制力顯著增強。同時，雙方在區熔工藝領域掌握較多專利和技術訣竅。交易將整合雙方在硅片平坦度、金屬離子控制和應力控制等領域專利和獨有的技術訣竅，進一步鞏固其市場控制力。目前市場上的主要競爭者信越化學工業株式會社、勝高株式會社等難以對其形成有效競爭約束。
（二）交易進一步提高了相關市場的集中度。
全球和中國境內8英寸區熔晶圓市場集中度較高，集中前，排名前5位競爭者合計市場份額（CR5）超過90%，全球市場赫芬達爾指數（以下簡稱HHI指數）約為3296，中國境內市場HHI指數約為3127。集中后，全球市場上主要競爭者數量由5家減少為4家，HHI指數增至約4019，增量723；中國境內市場上主要競爭者數量由4家減少為3家，HHI指數增至約3323，增量196。交易使得全球和中國境內8英寸區熔晶圓市場集中度進一步提高。
（三）交易可能增強相關市場競爭者協調價格的動機和能力。
8英寸區熔晶圓工藝成熟，價格相對透明，客戶主要通過招投標的方式採購。交易完成後，市場集中度顯著提高。在主要競爭者數量減少的情況下，競爭者間通過明示或默示方式進行溝通協調的成本降低。經營者也更容易通過中標結果，推測其他競爭者的定價策略。同時，晶圓處於產業鏈上游，產品種類單一，屬於剛性需求，需求價格彈性相對較低，協調價格行為獲利空間較大，背離協調的行為更易被發現和受到約束。交易完成後，競爭者之間協調價格的動機和能力進一步提高。
（四）市場進入壁壘高，短期內難以出現新的有效競爭者。
晶圓製造具有明顯的資金和技術密集型特徵，客戶對產品質量和穩定性要求極高。新進入者往往同時面臨專利許可、資金等障礙。同時，晶圓製造領域研發難度很高，新進入者需要較長的建設周期和試產周期保證設備的良品率，並獲得客戶認可，短期內市場上難以出現新的競爭者對集中后實體形成有效競爭約束。
五、附加限制性條件的商談
審查過程中，市場監管總局將本案具有或可能具有排除、限制競爭效果的審查意見及時告知申報方，並與申報方就如何減少此項經營者集中對競爭產生的不利影響等有關問題進行了多輪商談。對申報方提交的限制性條件承諾，市場監管總局按照《經營者集中審查暫行規定》，重點從限制性條件的有效性、可行性和及時性方面進行了評估。
經評估，市場監管總局認為，申報方於2022年1月18日提交的附加限制性條件承諾方案（見附件）可以減少此項經營者集中對競爭造成的不利影響。
六、審查決定
鑒於此項經營者集中在8英寸區熔晶圓市場具有或可能具有排除、限制競爭效果，根據申報方提交的附加限制性條件承諾方案，市場監管總局決定附加限制性條件批准此項集中，要求交易雙方和集中后實體履行如下義務：
（一）剝離環球晶圓的區熔晶圓業務，即丹麥Topsil GlobalWafers A/S(拓譜公司)的區熔法晶圓業務，包括該公司所有有形資產和無形資產；所有協議、租約、承諾和客戶訂單；所有客戶、信貸及其他記錄等維持該業務運營、確保該業務存續性和競爭性所必需的全部資產及人員。
（二）自審查決定生效日起6個月內完成剝離，如到期無法完成，經市場監管總局批准，上述時限可延長3個月；如未能在上述期限內完成剝離，應根據《經營者集中審查暫行規定》委託剝離受託人尋找合適的剝離買方並完成剝離。
（三）按照公平、合理、無歧視的原則，繼續向中國境內客戶供應各類晶圓產品。在同等條件下，不得就價格、質量、數量和交貨期、售後服務等交易條件對中國境內客戶實施差別待遇。
（四）合同期滿后，如果中國境內客戶希望續簽合同，集中后實體無正當理由不得拒絕，且續籤條件不得低於原合同。
（五）對相關管理人員和員工進行持續培訓，並採取必要措施，確保承諾方案的落實。
限制性條件的監督執行除按本公告辦理外，環球晶圓於2022年1月18日向市場監管總局提交的附加限制性條件承諾方案對交易雙方和集中后實體具有法律約束力。
自生效日起5年後，集中后實體可以向市場監管總局提出解除行為性條件的申請。市場監管總局將依申請並根據市場競爭狀況作出是否解除的決定。未經市場監管總局批准解除，集中后實體應繼續履行限制性條件。
市場監管總局有權通過監督受託人或自行監督檢查交易雙方和集中后實體履行上述義務的情況。交易雙方和集中后實體如未履行或違反上述義務，市場監管總局將根據《反壟斷法》相關規定作出處理。
本決定自公告之日起生效。
