無錫吳越半導體展出厚度突破1厘米的GaN晶體

12月15日,吳越半導體GaN晶體出片儀式在無錫高新區舉行。據無錫高新區消息,儀式上,吳越半導體展出了全球範圍內首次厚度突破1厘米的氮化鎵晶體,並與君聯資本、新投集團簽署A輪融資戰略框架協議。

無錫吳越半導體展出厚度突破1厘米的GaN晶體

無錫吳越半導體展出厚度突破1厘米的GaN晶體

圖片來源:無錫高新區在線

無錫吳越半導體有限公司成立於2019年,是無錫先導集成電路裝備材料產業園首個落戶的項目,公司專註於氮化鎵自支撐襯底的開發、生產和銷售。

2020年2月,吳越半導體、先導集團與高新區管委會簽訂合作協議,在無錫高新區實施2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產業化項目,項目建成投產後,可填補無錫市在第三代化合物半導體氮化鎵原材料領域的空白。

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