台積電披露3nm功耗與性能增益 2nm設計將更具潛力

作為業內領先的半導體製造商,台積電(TSMC)剛剛分享了有關新一代製程節點的更多細節。在今天早些時候的 2021 線上技術研討會期間,台積電研發高級副總裁米玉傑(Y.J. Mii)博士陸續介紹了 N6、N5、N4 和 N3 工藝節點的最新規劃。除了晶圓工藝的密度,我們還得知了有關不同製造節點的產能和推出時間表。

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資料圖(來自:TSMC)

首先,米玉傑強調了台積電在 2020 年大幅增加了研發支出和員工人數,並達到了創紀錄的新水平。且自 2017 年首推 7nm 工藝以來,相關芯片的出貨量已經超過了 10 億顆。

事實證明,7nm 節點對 AMD 有着至關重要的影響,後者的 CPU 和 GPU 都屬於率先採用 N7 工藝的產品之一,並助其與競爭對手英特爾展開了激烈的市場交鋒。

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台積電 N3 工藝得到了業內的強力支持

至於 N3 工藝節點,台積電宣稱與 N5 一代相比,3nm 將帶來性能和功耗上的更佳表現。目前該公司已經開啟了 5nm 芯片的量產,緊隨其後的還有 N4 。

米玉傑表示,N4 工藝將繼續把芯片尺寸收縮 6%,同時帶來功耗和性能上的進一步改善。比如與 FinFET 晶體管(下圖紅線)相比,Nanosheet(下圖藍線)能夠實現更嚴格的閾值電壓(Vt)控制。

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閾值電壓(Vt)對比

據悉,Vt 特指半導體電路工作所需的最小電壓,即使是最輕微的變化,也會對芯片的設計造成束縛、並導致性能的下降。慶幸的是,台積電設法取得了 15% 的領先優勢。

雖然沒有明確地將這方面的研發進展與 2nm 工藝聯繫起來,但我們還是對台積電後續的工藝發展充滿了期待。

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