三星電子攜手新思科技,3納米製程技術已正式流片

三星電子的3納米製程採用的是環繞式柵極(gate-all-around,GAA)晶體管架構,性能優於台積電的3納米鰭式場效應晶體管(FinFET)架構 … 三星電子錶示,因為GAA架構需要一套不同於台積電和英特爾使用的FinFET架構的設計和鑒定工具,該公司採用了來自新思科技(Synopsys)的Fusion Design Platform … 我們最新的、先進的3納米GAA工藝得益於我們與新思科技的廣泛合作,以及Fusion Design Platform的加速準備,使3納米工藝的承諾能夠有效實現,這是這些關鍵聯盟的重要性和利益的證明。

媒體報道:
21-06-29 36Kr: 三星電子攜手新思科技,3納米製程技術已正式流片

事件追蹤:
21-06-30 三星電子攜手新思科技,3納米製程技術已正式流片
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