晶體管
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后納米級晶體管時代來臨?一場“用盡元素周期表”的戰爭
芯東西 12 月 24 日報道,隨着芯片製程演進愈加艱難,晶體管微縮正面臨物理極限的天花板。但英特爾、東京電子等芯片供應鏈巨頭已將製程路線圖推進到埃米一級(1 Å=0.1nm=10…
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科學家用鍺生產最靈活自適應晶體管
鍺的特殊性質和專用編程柵電極的使用,使人們有可能為一種開創芯片技術新紀元的新元件製造出原型。據近日發表在美國化學學會《納米雜誌》上的研究,奧地利維也納工業大學沒有依靠硅基晶體管技術…
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維也納大學研發革命性的新型智能晶體管
通常情況下,電腦芯片由電子元件組成,總是做同樣的事情。然而未來更多靈活性的芯片將成為可能。新類型的自適應晶體管可以在運行期間動態切換以執行不同的邏輯任務。這從根本上改變了芯片設計的…
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能夠降低85%的能耗 IBM和三星的新芯片設計為什麼這麼牛?
IBM和三星在半導體設計上再取得新進展!據這兩家公司稱,他們研發出了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設計。而在之前的設計中,晶體管是被平放在半導體表面上的。新的垂直傳輸場效應晶體管(…
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首創雙層晶體管:索尼介紹全新的堆疊式CMOS圖像傳感器技術
索尼半導體解決方案公司,已經成功開發出了全球首個採用雙層晶體管像素技術的堆疊式 CMOS 圖像傳感器。據悉,傳統方案需要將光電二極管和像素晶體管置於同一基板,而索尼新技術將兩者分離…
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IEDM 2021:三星攜IBM介紹VTFET半導體芯片研究新突破
在今年於加州舊金山舉辦的第 67 屆國際電子器件會議(IEDM 2021)上,三星與 IBM 在“3D at the Device Level”討論環節宣布,其已攜手在下一代半導體…
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Intel關鍵新突破:晶體管縮小50%、封裝密度提升10倍
在日前的2021 IEEE IDM(國際電子器件會議)上,Intel公布、展示了在封裝、晶體管、量子物理學方面的關鍵技術新突破,可推動摩爾定律繼續發展,超越未來十年。據介紹,Int…
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研究人員開發了新的納米線結構 提高了芯片小型化能力
EPFL研究員Valerio Piazza在半導體材料實驗室工作,主要研究納米級的半導體。他特別關注納米線和使用半導體材料構建的納米結構,研究的目標是將晶體管改進到超過當前的飽和點…
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新發現的2D半導體家族可使電子設備更加節能
據新加坡科技大學(SUTD)的研究人員稱,最近發現的一個二維(2D)半導體家族可以為高性能和高能效的電子產品鋪平道路。他們的研究結果發表在《二維材料與應用》(npj2D Mater…
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新型高效光學“晶體管”有望讓計算速度提升1000倍
由斯科爾沃(Skoltech)和 IBM 帶領的一支國際研究團隊,剛剛打造了一種極其節能的“光開關”(Optical Switch)。得益於對光子的操縱能力,其致力於取代傳統計算機…