西數明年底量產BiCS6閃存:162層堆棧、接口速度翻倍

2021年閃存逐漸從96層過渡到了128層為主,再往下就是170層到200層的了,每家閃存廠商的方案都有所不同,西數將在明年底量產BiCS6代3D閃存,堆棧層數提升到162,而且接口速度翻倍。在閃存市場上,西數跟東芝是合作研發、生產的,BiCS技術其實主要是來自東芝,目前量產的主力是BiCS5,2019年2月份發布,堆棧層數112層,核心容量512Gbit,接口速度1.066Gbps。

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BiCS6閃存是下一代產品,堆棧層數最終確定為162層,而非之前所說的170+層,核心容量也提升到了1Tbit,另外就是接口速度也將達到2.0Gbps,相比上代翻倍,不過距離三星最新的8代V-NAND閃存的2.4Gbps還有點距離。

根據西數的計劃,BiCS6閃存將從明年初開始生產,但真正大規模量產要到2022年底了,現在的BiCS5閃存還要過渡至少一年。

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