長江存儲推出第四代閃存芯片,堆疊232層比肩國際一線大廠

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  記者/周玲

  8月3日,長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)在2022年閃存峰會(FMS)上正式發布了基於晶棧(Xtacking)3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。新一代X3系列閃存產品將為大數據、5G、智能物聯(AloT)及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。

長江存儲推出第四代TLC三維閃存X3-9070長江存儲推出第四代TLC三維閃存X3-9070

  據知情人士消息,長江存儲第四代產品堆疊層數已達232層,比肩國際一線大廠。

  長江存儲稱,相較上一代產品,X3-9070擁有更高的存儲密度,更快的I/O速度,並採用6-plane設計,性能提升的同時功耗更低,進一步釋放系統級產品潛能。

  據介紹,新品在性能上實現高達2400MT/s的I/O傳輸速率,符合ONFI5.0規範;相較於長江存儲上一代產品實現了50%的性能提升;密度上得益於晶棧3.0的架構創新,X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產品,能夠在更小的單顆芯片中實現1Tb的存儲容量;在提升系統級產品體驗上,得益於創新的 6-plane設計,X3-9070相比傳統4-plane,性能提升50%以上,同時功耗降低25%,能效比顯著提升,可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本(TCO)。

  長江存儲執行副總裁陳軼表示:“X3-9070閃存顆粒擁有出色的性能表現和極高的存儲密度,能夠快速高效地應用於主流商用場景之中。面對蓬勃發展的5G、雲計算、物聯網、自動駕駛、人工智能等新技術帶來的全新需求和挑戰,長江存儲將始終以晶棧為基點,不斷開發更多高品質閃存產品,協同上下游存儲合作夥伴,用晶棧為存儲產業賦能。”

  長江存儲在2018年推出晶棧(Xtacking)架構技術,經歷了晶棧從1.0到3.0的迭代發展,長江存儲在三維異構集成領域已積累了豐富的經驗,並基於晶棧技術成功打造了多款長江存儲系統解決方案產品,包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態硬盤,以及用於移動通信和其他嵌入式應用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產品。

  全球存儲巨頭最近紛紛推出了200層以上的新品。日前,美光正式官宣推出了232層TLC閃存顆粒,並稱這是業內密度最高、尺寸最小的TLC閃存顆粒,其能效比相比上一代更佳,可以為用戶帶來更好的性能體驗。

  8月3日,韓國SK海力士也對外表示已經開發出238層NAND閃存產品,預計近期將向客戶發貨樣品。預計公司將在2023年上半年大規模投產238層512Gb 4D NAND產品,相比176層NAND產品,新款NAND的生產力/性能已經提高37%。

  長江存儲科技有限責任公司成立於2016年7月,總部位於武漢, 是一家專註於3D NAND閃存設計製造一體化的IDM集成電路企業,同時也提供完整的存儲器解決方案。

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