英特爾將公布新技術,向埃米時代前進

在2021 年IEEE 國際電子設備會議(IEDM) 上,英特爾概述了其實現混合鍵合封裝互連密度提高 10 倍以上、晶體管縮放面積提高 30% 至 50%、新電源和存儲器技術的重大突破以及新的物理學中的概念可能有一天會徹底改變計算 … 另一個進步是英特爾行業領先的低延遲讀/寫功能,它使用新型鐵電材料實現下一代嵌入式 DRAM 技術,該技術可以提供更大的內存資源,以解決從遊戲到人工智能的計算應用程序日益複雜的問題 … 組件研究是英特爾技術開發的研究小組,負責提供革命性的工藝和封裝技術選項,擴展摩爾定律並支持英特爾產品和服務。

媒體報道:
21-12-12 CNBeta: 英特爾將公布新技術 向埃米時代前進

事件追蹤:
21-12-13 英特爾將公布新技術,向埃米時代前進
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