SK海力士稱 SK Square 正考慮進行有關芯片公司的併購交易

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近日，半導體市場研究機構 IC Insights 發布報告，隨着各大存儲巨頭展開 200 層 NAND 閃存產品的研發競賽，全球閃存資本支出再創新高。在各大巨頭中，韓國存儲巨頭 SK 海力士預計將在 2023 年實現 196 層 NAND 閃存產品。

半導體存儲器件是半導體行業市場佔比最高的分支，總計市場規模在 1000 億美元以上。其中 DRAM 和 NAND Flash 是最主流的兩類存儲器件，市場佔比超過 95%，而 SK 海力士分別為全球 DRAM 市場份額第二和 NAND 閃存市場份額第四。

今年 1 月，隨着各國監管部門陸續同意，SK 海力士宣布，其收購英特爾閃存業務的第一階段程序已經完成。此次收購涉及的金額達 90 億美元，全部流程完成後 SK 海力士將接管英特爾大連晶圓廠、閃存研發部門以及相關知識產權等，進一步擴大自身在閃存領域的市場份額。

作為存儲巨頭，SK 海力士的經歷頗富傳奇色彩，在如今全球第三大半導體公司的背後，它也曾兩次背負高額負債，瀕臨倒閉。同時 SK 海力士還與現代、LG 和 SK 等韓國財團有着極深的羈絆：SK 海力士的前身曾是現代電子；現代電子和 LG 半導體合併后，在 2001 年獨立改名為海力士；2012 年 SK 集團收購海力士，也就變成了如今人們所熟知的 SK 海力士。

芯東西將梳理現代電子成立至今 SK 海力士的近 40 年歷史，回顧這家存儲巨頭的傳奇經歷，並展現存儲市場的風譎雲詭。

如今，總部位於韓國的 SK 海力士是全球最大的半導體廠商之一。根據市場調研機構 Gartner 的最新數據，SK 海力士 2021 年營收達 363.26 億美元，是全球第三大半導體公司，僅次於三星和英特爾。

1983 年-2000 年：以代工起家的現代電子

韓國的半導體產業收入全球排名第二，僅次於美國，其重要性不言而喻，SK 海力士就是韓國半導體的標誌性企業之一。

70 年代，DRAM 存儲器剛剛誕生，英特爾、莫斯泰克（Mostek）等美國公司在 DRAM 市場輪番坐莊，日本公司也在伺機而動。

1983 年現代電子成立，由此開啟了 SK 海力士的傳奇之路。現代集團上世紀曾經是韓國最大的財團，未分家之前其業務類型覆蓋建築、汽車、造船、半導體等多個領域。

隨着韓國三星、現代電子、LG 半導體等公司紛紛打入 DRAM 市場，行業產能開始過剩，行業利潤嚴重下滑。

由於 1983 到 1985 年遊戲機市場崩盤，DRAM 市場下降到只有之前的 10% 不到，英特爾、美國國家半導體等廠商先後退出了該市場。80 年代中期，日本企業憑藉著低廉的成本和優秀的技術，開始壓制美國公司、主導存儲市場。

此時韓國企業基本處於追隨者的角色，其中現代電子通過 OEM 代工的方式，從美國德州儀器等企業獲得了關鍵技術，並於 1986 年完成了 64K DRAM 的量產。

1985 年 9 月，美國、日本、聯邦德國、法國以及英國的財政部部長和中央銀行行長舉行會議，達成五國政府聯合干預外匯市場、解決美國巨額貿易赤字問題的協議。由於這一會議召開的地點在紐約廣場飯店，因此被稱作廣場協議。

該協議簽署后，日元開始升值。美國商務部也啟動了 301 反傾銷調查，在次年簽署美日半導體協議，迫使日本打開芯片市場。雖然此時日本廠商仍佔據技術優勢，但是其低價策略已經失去了魔力。

三星、現代、LG 和大宇四家韓國廠商依靠財閥的充沛財力，在 80 年代投資超過 20 億美元，摺合今天上百億美元，開始在技術上追趕日本公司。

進入 90 年代后，荷蘭光刻機供應商 ASML 的光刻機技術開始超過日本佳能和尼康。美光、三星相繼更換 ASML 光刻機，現代電子也緊隨其後採用了 ASML 的光刻機。

由於日本 DRAM 廠商堅持使用佳能和尼康光刻機，韓日雙方在工藝、成本上逐漸拉開了差距。1997 年，亞洲金融危機爆發，由於韓國企業負債率過高、外匯儲備不足、歐美債務收緊，韓元在年底數周內暴跌 60%，卻極大地增強了韓國企業的出口競爭力。

1998 年，韓國 DRAM 企業的市場份額首次超過日本。除了依靠各大財團的雄厚實力外，韓國政府在半導體產業規劃方面同樣發揮了巨大的作用，從 1975 年開始，頒布了多項政策扶持韓國半導體產業發展。

▲ 韓國 1975 年-2011 年半導體政策

為了促進韓國半導體產業的競爭力，韓國政府在 1999 年將現代電子與 LG 半導體合併，現代電子擁有多數股份。

根據海力士主要債權人、韓國外換銀行（KEB）CEO 羅伯特・E・法倫（Robert E. Fallon）的說法，LG 半導體的公司僅價值 1.3 萬億韓元（約合 75 億元人民幣），而現代電子支付了 6.1 萬億韓元（約合 353 億元人民幣）；僅現金部分就相當於 LG 半導體賬麵價值的兩倍。

原則上，現代電子應該拒絕為 LG 半導體的債務買賬，但是法倫稱，當時要求兩家公司合併的政治壓力過於龐大，最終合併後現代電子負債近 140 億美元，債務股本比高達 160%，這為公司帶來了龐大的經濟負擔。

▲ 韓國外換銀行 CEO Robert E. Fallon

2001 年-2006 年：巨額債務下的絕地求生

2001 年，因為現代電子從現代集團中拆分，公司改名為海力士。同年美光完成收購德州儀器的內存部門，隨着 1999 年到 2001 年內存行業整合結束，三星、美光、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的 DRAM 市場份額。

▲ 2001-2014 年內存市場份額

此時 DRAM 市場競爭已經趨於白熱化，產品價格接近生產成本，之後互聯網泡沫破裂，DRAM 價格崩盤。

根據 IDC 數據，在 2001 年 DRAM 容量需求上升 56% 的情況下，DRAM 價格降低了 46%，2001 年 DRAM 市場預期只有 238 億美元，相較 2000 年縮水 18%。

在這樣的市場行情下，海力士虧損 25 億美元，無力歸還貸款，資產負債率高達 206%。

考慮到半導體行業巨大的遠期資本支出需求，韓國政府和以韓國外換銀行為首的債權人開始推動出售海力士。

然而，三星和 LG 都拒絕接手這個負債纍纍的爛攤子，只有美光想要趁機大賺一筆。

2001 年底，時任海力士總裁的 Park Chong-sup 與美光達成協議，美光將以價值 30 億美元的股票收購海力士的整個內存芯片業務與 25% 的其他業務，而且還不會接受海力士的 60 億美元債務。

儘管當時海力士已經走投無路，但這一計劃依舊遭到了海力士董事會的一致反對。最後美光收購海力士失敗，各大 DRAM 廠商開始期待海力士倒閉空出的市場。

韓國外換銀行這時（KEB）面臨著兩種選擇：對公司進行清算；或者通過債權人主導的大規模重組，試圖使海力士復蘇。

韓國外換銀行選擇了後者，為此，外換銀行根據《韓國企業重組促進法（CRPA）》啟動了一項雄心勃勃的重組計劃。CRPA 是韓國旨在幫助公司從金融危機中復蘇國家計劃的一部分，該法律使外換銀行有權指定海力士的管理層，並借給海力士 12 億美元以完成重建。

於是外換銀行成立了債權人委員會取代海力士董事會，該委員會負責為海力士做出所有關鍵決定。而在海力士內部，外換銀行設立了一個財務管理團隊，專門負責監督海力士的現金收入與支出。

最後，外換銀行選出了海力士的董事名單，其中 Eui-Jei Woo 成為了海力士的 CEO。

Woo 教授於 1967 年加入外換銀行。2000 年，他升任韓國外換銀行代理總裁。據他回憶，他被任命海力士 CEO 這天是他人生中最糟糕的一天。

▲ 海力士前 CEO Eui-Jei Woo

Woo 教授記得，剛剛接手海力士之初，他們任何試圖制定可行還款計劃的嘗試都被指責是失敗的。債權人、韓國政府和媒體得出結論：海力士無法在財務上恢復元氣，三方敦促他重啟與美光的談判。

Eui-Jei Woo 並沒有因此而放棄，相反他選擇繼續帶領海力士執行重建計劃，最終完成了重建。

回顧海力士的復蘇過程，Eui-Jei Woo 提出了海力士復興中的 6 大里程碑：

• 1、成立半導體聯盟；

• 2、賣掉了非存儲芯片業務；

• 3、中國無錫芯片廠的成立；

• 4、CRPA 再融資；

• 5、債權人權益貨幣化；

• 6、引入新融資。

當時為了改善海力士的債務狀況並確保其生存，韓國外換銀行註銷了海力士對自己的 80 億美元債務，達到絕對控股，也緩解了海力士的債務壓力。

之後，海力士和很多半導體公司達成了戰略合作關係，組建了半導體聯盟。法倫介紹，其中比較重要的是與歐洲芯片廠商意法半導體的合作。

當時意法半導體和海力士都瞄準了 NAND 閃存市場。但是意法半導體的專有設計實力很強，卻並不擅長芯片製造。而海力士雖然芯片製造實力很強，但是沒有多餘的資金來建設新廠，因此雙方提議合資建廠。

此時，中國不僅是一個巨大的市場，也在追求更高的芯片製造工藝，中國政府提供了非常誘人的優惠條件吸引外國技術投資，而且生產成本與其他國家相比也較低。

值得一提的是，海力士拒絕美光的收購報價后，美光於 2003 年向歐盟和美國起訴海力士。歐盟和美國因海力士接受韓國政府控制的銀行補貼，分別決定對海力士徵收 34% 與 45% 的進口關稅。在中國合資建廠可以免交這些高額稅款，這也進一步促使海力士選擇中國建廠。

因為無錫此前曾引進東芝 DRAM 生產線，具備半導體生產經驗，最終價值 20 億美元的意法半導體和海力士存儲芯片工廠在無錫落地，成為了當時中國最大的外國技術投資。

海力士無錫芯片廠共有兩條生產線，一條 8 英寸晶圓生產線的月產量為 50000 片，另外一條 12 英寸生產線的月產量達到 18000 片。

本次海力士投入 2.5 億美元的現金和價值 2.5 億美元的設備，獲得了工廠 2/3 的產能，意法半導體則佔據另外 1/3。在這次投資中，海力士僅花費 2.5 億美元現金就建設了價值 20 億美元的工廠，還擴充了最先進的 12 英寸產能。

2002 年 11 月，私募股權與信貸公司 CVC 資本（CVC Capital Partners）開始與海力士溝通，希望交易其非存儲芯片業務。海力士拒絕了 CVC 8 萬億韓元（約合 5 億美元）的原始要約，從而直接與 CVC 董事長威廉・康福特（William Comfort）進行了談判。

雙方在 KEB 經過數天激烈討論后，要約價格從 5 億美元提高到 9.54 億美元。這個數字大約是海力士非內存芯片部門賬麵價值的 2 倍，於是海力士同意了這筆交易，減少了超過 10 億美元的債務。

而 CVC 將非內存芯片部門改名為 MagnaChip，並將其帶入了國際證券市場。CVC 通過發行高收益的揚基債券（即在美國市場上發行的外國債券），獲得了 7.5 億美元收益。

▲ 海力士、KEB 和 CVC 都在交易中獲得了利益

這使法倫和 Eui-Jei Woo 意識到，高收益債券市場可能將為海力士提供類似的機會。

於是，海力士也開始發行債券對現有債務再融資，一開始該公司計劃在市場籌集 18 億美元。此時海力士已經 14 個季度連續虧損，很多債務被列為不良貸款，很多投資人並不看好重建計劃。

為了重建海力士與債券市場投資者關係，海力士及其債權人同意放棄超過 10% 的股份，並將其投入市場進行融資。最終，該融資使海力士償還了 12 億美元的 CPRA 債務，為海力士贏回了市場信譽。

由於償還了 CPRA 債務，KEB 的債權人理事會解散，董事會重新建立。換句話說，KEB 銀行再次回歸了其股東身份，不再直接管理海力士。KEB 的資金管理團隊也隨後撤出，賦予了海力士更多的管理自主權與資金使用權限。

2008 年，哥倫比亞大學商學院邀請法倫和 Eui-Jei Woo 進行講座，將海力士的這次經歷稱為“有史以來最大、最成功的亞洲公司重組”。

2006 年至今：再陷債務危機，SK 集團救場

2006 年，隨着無錫芯片工廠開業，海力士在騰飛的 NAND 閃存業務中佔到了一大塊蛋糕，當年獲得了超過 20 億美元的凈利潤，創造了海力士利潤新高。眼看海力士即將擺脫破產陰影，Eui-Jei Woo 的退休卻又為海力士的未來添加了幾分不確定因素。

Woo 教授於 2007 年從海力士退休。在他辭職之前，他要求其繼任者從海力士目前的管理層中挑選。

不幸的是，債權人 KEB 沒有聽從他的建議，而是任命了一位來自韓國貿易、工業和能源部的前部長金鐘甲為接班人。在他領導下，海力士開始了積極的產能擴充。

2007 年 7 月，金鐘甲宣布海力士計劃大幅增加 300mm 晶圓的產量，以使海力士成為世界領先的芯片製造商。為此，海力士的大量投資遷移到 56、36nm DRAM 和 48nm NAND 閃存生產線上。

雖然金鐘甲的野心很大，但他忽視了存儲芯片價格的波動。2007 年，存儲芯片價格開始下跌。9 月份，標準的 512MB DDR2 DRAM 芯片的價格從年初下降了超過 70%，原本 5.95 美元 / 片的 DRAM 芯片售價降到了 1.75 美元 / 片。

這本應是對海力士投資支出過高的一次警告。在芯片價格較低的情況下，海力士幾乎無法支付其生產成本與貸款利息，也無法獲得更多融資。儘管如此，金鐘甲仍在繼續其激進的資本支出計劃。

海力士內部經驗豐富的管理人員因此越來越不滿，他們知道過去的高額債務幾乎毀掉了公司。現在，他們卻不得不眼睜睜地看着海力士的債務水平再次上升。

時任高級副總裁的權伍哲表達了他的擔憂，很快他被另一名前韓國貿易、工業和能源部官員取代。另外一名海力士金融專家也曾提出質疑，但 2008 年因為 5 億美元的全球可轉換債券再融資失敗，他被迫辭職。

我們現在無法得知為何 KEB 等債權人沒有提前進行干預，但到了 2008 年第四季度，存儲芯片價格仍未回升，海力士也受困於流動性緊縮，不得不與銀行開始新一輪的接洽。

海力士為了生存，要求增加新股本並將銀行債務延期，為此，海力士的債務水平將大幅提升。

具有諷刺意味的是，一家曾如此努力地去槓桿化資產負債表的公司，如今又面臨著債務不斷增加的局面，海力士管理層似乎忽略了 2002-2006 年的教訓。

2008 年 12 月，海力士宣布將削減在韓國擴建工廠的開支，推遲了在中國無錫擴建工廠的 2.6 億美元投資計劃，並關閉了位於俄勒岡州尤金的 200mm 芯片製造工廠。

2009 年 1 月，韓國主要的債權銀行宣布將提供 5000 億韓元（約合 4.43 億美元）的新貸款，以及 3000 億韓元（約合 2.66 億美元）的新股本，以及將超過 18000 億韓元（約合 16 億美元）的現有債務延期。

這為海力士提供了一定的資金流動性，以抵禦存儲芯片的價格下滑。但是這並沒有讓海力士擺脫虧損，自 2007 年開始，海力士連續三年虧損。2010 年，金鐘甲任期時間到期，經過 KEB 等六家債權方銀行推薦、投票，權伍哲成為了海力士的新任 CEO。

2012 年，SK 集團收購海力士，自此海力士終於從資金匱乏的境地中脫離了出來。之後，2013、2014、2017、2018、2020 年，DRAM 連續數年成為增幅最大的 IC 細分領域，SK 海力士業績也逐步上升，公司更是由無人問津的“爛攤子”變成了“香餑餑”。

2014 年，SK 海力士宣布其“未來願景”，計劃從 2014 年開始建設 M14、M15、M16 三座工廠，M16 將在 2021 年 2 月份竣工，引進了最新的 EUV 光刻機；2019 年，SK 海力士又宣布，將在 2022 年後投資 1 千億美元新建四座工廠。

▲ SK 海力士的 M16 新廠

加大投資后的 SK 海力士在工藝研發和新型存儲技術上逐漸取得突破。

2021 年 7 月，SK 海力士宣布開始使用 EUV 設備量產 1anm DRAM，這是第四代 10nm DRAM 工藝。12 月，SK 海力士宣布交付業界單片密度最大的 DDR5 DRAM 芯片，其每片密度為 24Gb，高於 1ynm 工藝的 DDR5 16Gb 的密度，芯片速率提升了 33%。

根據市場調研機構 Gartner 數據，2021 年 SK 海力士營收達 363.26 億美元，較去年增長 40.5%，營收規模僅次於三星和英特爾，是全球第三大半導體公司。

在新型存儲技術上，SK 海力士今年 2 月 16 日稱，已開發出具有計算能力的下一代存儲芯片 PIM（Processing In Memory）。基於這種存內計算方式，其 GDDR6-AiM（Accelerator in memory）樣品與 CPU 或 GPU 的組合，比 DRAM 與 CPU 或 GPU 的組合計算速度快 16 倍，被期望用於機器學習、高性能計算以及大數據存儲與計算。

結語：隨半導體周期而動，SK 海力士的 39 年風雨

而回顧 SK 海力士接近 40 年的歷史，存儲芯片的價格波動始終主導了眾多存儲公司的命運。奇夢達、爾必達等業內巨頭都已經不復存在，最終在存儲領域形成了三星、SK 海力士和美光三大頭部玩家。

而 SK 海力士的起起伏伏更是展示了市場判斷對於企業經營的重要性。半導體市場由於其產線投產時間長的緣故，扎堆投資，就容易造成供過於求，進而使半導體公司出現虧損、生產線荒廢、人員解散，又會導致市場緊缺，價格上升，又開始建立新的或者改善原生產線。這種情況下，如何對市場周期進行預判，又如何度過低迷期，都對各家半導體公司管理人員提出了極高的要求。

此外，SK 海力士也向我們展示了政府干預這一雙刃劍的兩刃。韓國存儲半導體公司能夠快速壯大，背後無疑有着政府規劃的功勞，在海力士即將破產時，也是國有銀行對其施以援手。可是對於半導體企業來說，殘酷的市場競爭絕非簡單地依靠政府盲目擴張就能成功。

韓國此前作為半導體市場的挑戰者，與中國如今的情況有相同之處。SK 海力士作為韓國半導體的代表之一，其傳奇經歷的背後或許也可以為中國半導體行業提供一些經驗。

媒體報道

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事件追蹤

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• 2022-02-16  SK海力士開發出下一代智能內存芯片技術PIM
• 2022-01-28  SK海力士Q4盈利同比增三倍
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