在 Hot Chips 33 大會上，三星確認正在開發具有 8 層 TSV（直通硅通孔）的 DDR5 內存模塊，是 DDR4 內存容量的兩倍 … 通過優化封裝，三星的 DDR5 內存模塊高度將低於 DDR4 4 層內存 … 三星預計 DDR5 內存將提供比 DDR4 提升 85% 的性能，提供高達 7.2 Gbps 的帶寬，以及高達 512GB 的雙倍容量。
媒體報道：
21-08-22 鳳凰科技: 三星：正在開發DDR5內存模塊 容量達DDR4兩倍
21-08-22 品玩: 三星：正在開發 8 層 TSV 的 DDR5 內存模塊
相關事件：
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17-12-28 紫光回應：DDR4內存在研、計劃明年推出
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