三星最快可在本周開始大規模生產3納米芯片 能否一舉超越台積電?

早在5月,美國總統喬·拜登參觀了三星的平澤園區,並參觀了一個將在3納米工藝節點上運行的尖端技術工廠業內人士預計,這家韓國巨頭將在未來幾天宣布開始批量製造,在生產世界上最先進的芯片的過程中擊敗競爭對手台積電。

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三星對其半導體部門有很大的野心,這家工廠也是其2050億美元計劃的一個關鍵部分,以征服芯片製造、機器人、人工智能和生物製藥領域。這些資金中不少於一半將用於先進的芯片工廠以及新工藝節點和新晶體管的研究和開發。

然而,在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的工藝節點轉移時出現了很多產量問題,以至於影響了它的一些最大客戶的業務,如高通公司,該公司現在正考慮將台積電用於未來的移動芯片。NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后,正為其下一代產品選擇台積電,這些GPU原本是在三星的8納米工藝節點上製造的。

隨着帕特-蓋爾辛格領導的英特爾重新煥發活力,半導體製造領域的競爭正在加劇。三星需要在商業化3納米製造的競爭中擊敗其他公司,否則它將無法吸引像NVIDIA、AMD、蘋果等大客戶。台積電錶示,它將在未來幾個月開始加大3納米工藝的批量製造,因此留給他們的機會窗口相當小。

三星顯然知道這一點,因此一直在爭先恐後地追趕台積電的時間表。但是,儘管該公司確實計劃在本月底前開始生產3納米芯片,但這個時間表可能有點太樂觀了。4月份,三星代工的高管告訴投資者,商業生產將在幾周內開始,但我們還沒有看到關於此事的官方更新。

來自韓國當地媒體的報道顯示,三星正準備宣布開始3納米的批量製造,可能最快在本周。這將是對競爭對手台積電的一次重大挑戰,這也意味着這家韓國公司將成為第一個使用全柵極場效應晶體管(GAAFET)的公司。

三星稱其實施的3納米GAAFET晶體管為多橋通道場效應晶體管,但這只是晶體管的一個技術名稱,它背後的優勢才是關鍵:功率減少50%,佔用的空間減少45%,並能在極低電壓下更穩定地運行。

有傳言稱,三星也已經獲得了新工藝節點的第一批客戶,該公司是否能夠避免重蹈8納米和4納米的覆轍將是值得關注的。無論如何,代工業務是三星底線的一個強有力的貢獻者,其一半以上的營業利潤–約67億美元和變化–來自芯片部門。

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