德州儀器今日宣布其位於德克薩斯州謝爾曼（Sherman）的全新12英寸半導體晶圓製造基地正式破土動工。德州儀器董事長、總裁及首席執行官譚普頓（Rich
Templeton）先生在動工儀式上慶祝該基地建設正式開始，並重申了德州儀器致力於擴大長期的自有製造能力的承諾。
譚普頓先生表示：“今天是一個重要的里程碑，我們將為半導體在電子產品領域的發展奠定基礎，以滿足客戶未來幾十年的需求。公司成立90多年以來，我們一直致力於通過半導體技術讓電子產品更經濟實用，讓世界更美好。我們很高興謝爾曼先進的12英寸半導體晶圓製造基地將幫助TI持續提升製造能力和技術競爭優勢。”
此項目投資約300億美元，計劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將製造數千萬顆模擬和嵌入式處理芯片，廣泛地應用於全球市場的各類電子產品領域。
據悉謝爾曼晶圓製造基地中的首座工廠預計於2025年開始投產。該晶圓製造基地將加入TI現有的12英寸晶圓製造廠陣營，包括德州達拉斯（Dallas）DMOS6；位於德州理查森（Richardson）的RFAB1和即將竣工並預計於2022年下半年開始投產的RFAB2；以及位於猶他州李海（Lehi）預計於2023年初投產的LFAB。譚普頓先生表示：“我們對長期產能的持續投資，將進一步提升公司的成本優勢，並加強對供應鏈的控制能力。”
一直以來，TI對長期產能持續投資，不斷提升製造能力和技術競爭優勢，以支持客戶未來幾十年的增長。TI在中國成都的生產製造基地集晶圓製造、封裝、測試、凸點加工和晶圓測試為一體，目前正在擴建第二座封裝/測試廠房。