德州儀器 (TI)全新12英寸半導體晶圓製造基地正式破土動工

德州儀器今日宣布其位於德克薩斯州謝爾曼(Sherman)的全新12英寸半導體晶圓製造基地正式破土動工。德州儀器董事長、總裁及首席執行官譚普頓(Rich
Templeton)先生在動工儀式上慶祝該基地建設正式開始,並重申了德州儀器致力於擴大長期的自有製造能力的承諾。

德州儀器 (TI)全新12英寸半導體晶圓製造基地正式破土動工

譚普頓先生表示:“今天是一個重要的里程碑,我們將為半導體在電子產品領域的發展奠定基礎,以滿足客戶未來幾十年的需求。公司成立90多年以來,我們一直致力於通過半導體技術讓電子產品更經濟實用,讓世界更美好。我們很高興謝爾曼先進的12英寸半導體晶圓製造基地將幫助TI持續提升製造能力和技術競爭優勢。”

德州儀器 (TI)全新12英寸半導體晶圓製造基地正式破土動工

此項目投資約300億美元,計劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將製造數千萬顆模擬和嵌入式處理芯片,廣泛地應用於全球市場的各類電子產品領域。

據悉謝爾曼晶圓製造基地中的首座工廠預計於2025年開始投產。該晶圓製造基地將加入TI現有的12英寸晶圓製造廠陣營,包括德州達拉斯(Dallas)DMOS6;位於德州理查森(Richardson)的RFAB1和即將竣工並預計於2022年下半年開始投產的RFAB2;以及位於猶他州李海(Lehi)預計於2023年初投產的LFAB。譚普頓先生表示:“我們對長期產能的持續投資,將進一步提升公司的成本優勢,並加強對供應鏈的控制能力。”

一直以來,TI對長期產能持續投資,不斷提升製造能力和技術競爭優勢,以支持客戶未來幾十年的增長。TI在中國成都的生產製造基地集晶圓製造、封裝、測試、凸點加工和晶圓測試為一體,目前正在擴建第二座封裝/測試廠房。