西數計劃在年底前量產162層NAND 目標到2024年超過200層

西部數據計劃開始大規模生產162層的BiCS6 3D NAND,這可能在今年年底前就用於PCIe 5規範的SSD。該公司還在研發用於數據中心存儲的200層以上的NAND,PLC,以及將多個3D NAND晶圓粘合在一起以增加層數的方法。

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西部數據與合作夥伴Kioxia一起,剛剛讓我們看到了他們未來幾年NAND發展的路線圖。該公司計劃很快推出其第六代BiCS,它將具有162層的TLC和QLC結構。

考慮到美光等競爭對手已經有176層NAND一段時間了,這聽起來可能不是那麼令人印象深刻,但西數聲稱他們將通過使用一種新材料來縮小存儲單元的尺寸,從而使芯片尺寸更小。這將使他們能夠製造出更便宜的存儲設備,而且性能同樣出色。BiCS6 3D NAND的大規模生產計劃在2022年底開始,西部數據計劃在從廉價USB驅動器到PCIe 5.0固態硬盤的產品中使用這些芯片。

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西部數據還談到了他們即將推出的具有200多層的BiCS+閃存,該產品將於2024年上市。與BiCS6相比,它的特點是每片晶圓增加55%的比特,傳輸速度提高60%,寫入速度提高15%。值得注意的是,BiCS+僅用於數據中心的固態硬盤,因為該公司計劃為消費者存儲提供不同級別的2xx層NAND,被稱為BiCS-Y。

西部數據還分享說,他們正在研究多種技術,以提高密度和容量,包括PLC,他們計劃在未來十年內建立具有500層以上的NAND。